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[发明专利]一种用于高密度面阵性能验证的测试结构-CN201811387834.7有效
发明人：于春蕾;李雪;邵秀梅;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本发明的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本发明公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。
一种用于高密度性能验证测试结构

[发明专利]一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片-CN201711275111.3有效
发明人：曹高奇;邵秀梅;李雪;杨波;邓双燕;程吉凤;于一臻;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。
一种增益紫外红外 ingaas 探测器芯片

[发明专利]一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法-CN202310252910.8在审
发明人：李雪;顾溢;刘博文;邵秀梅;马英杰;李淘;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法，所述光敏元结构自下而上依次包含InP腐蚀截止层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAs组分递变吸收层、位错阻挡层、高In组分InGaAs吸收层、高In组分InAlAs接触层。所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的x自所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的下端至上端由0.53线性递变至a，0.53＜a≤1，所述高In组分InGaAs吸收层与所述InxGa1‑xAs组分递变层上端晶格匹配，所述位错阻挡层采用与高In组分InGaAs吸收层晶格匹配的InAlAs或InAsP。还公开了一种制备所述光敏元结构的方法，主要步骤为：InP衬底预处理，外延材料生长，机械研磨湿法化学腐蚀去除InP衬底，选择性化学腐蚀去除In0.53Ga0.47As腐蚀牺牲层。本发明有利于实现在可见‑短波红外范围响应的单一宽光谱InGaAs探测器。
一种光谱 ingaas 探测器光敏结构及其制备方法

[发明专利]图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法-CN202310252945.1在审
发明人：顾溢;刘博文;于春蕾;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底延伸波长InGaAs焦平面探测器及其制备方法。图形化衬底的周期与焦平面探测器像元中心距相同，图形化衬底凹槽和凸脊尺寸分别与像元和像元间隔或像元间隔和像元尺寸相同。在图形化衬底上外延延伸波长InGaAs探测器材料结构，只在无SiNx介质层一上外延形成半导体单晶材料，对应焦平面探测器芯片像元区域，而后通过钝化、金属淀积、倒焊等工艺实现InGaAs焦平面探测器制备。本发明可以使晶格失配材料的位错在图形边缘终止而不向上延伸，降低吸收层材料的位错密度。图形化衬底的周期和尺寸与焦平面芯片像元一致，减少了工艺复杂性，适用于大批量推广。本发明还可以推广到其他晶格失配材料体系的焦平面探测器制备，具有很好的通用性。
图形衬底延伸波长 ingaas 平面探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法-CN202310027644.9在审
发明人： 邵秀梅;李雪;程吉凤;杨波;于春蕾 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法。探测器为背照射结构，设计n行×m列光敏元扩散孔，其中1n≤3，m≥512，保护环扩散孔环绕在光敏区的外圈，每个光敏元独立引出P电极，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法为在N‑InP/I‑InGaAs/N‑InP结构的外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得n行×m列光敏元扩散孔和保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过N电极导出。本发明的优点是：该结构采用n行像元作为一行像元应用，每个像元独立引出，只要同一列n个像元有一个正常光敏元，即可实现零盲元应用，将探测器成品率提升n倍。
一种用于线列铟镓砷探测器抑制结构实现方法

[发明专利]改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法-CN202310252923.5在审
发明人：刘博文;顾溢;李淘;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。
改善延伸波长 ingaas 晶圆翘曲缓冲结构及其制备方法

[发明专利]一种建设用砂泥块含量快速测定装置及方法-CN202310297922.2在审
发明人：肖双清;高琛;程俊斌;伊进轩;王伊林;李宗治;李兴春;杨泽;徐博;张慧;邵秀梅 -专利权人：中铁十二局集团有限公司;中铁十二局集团第三工程有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：一种建设用砂泥块含量快速测定装置及方法，属于建设用砂测试技术领域，本发明采用超声波震动及机械搅拌的方式替代水中浸泡来分散软化泥块，解决了传统试验方法中砂样品需要浸泡24小时的步骤及反复淘洗的复杂过程，从而节省了大量的试验时间，本发明方法中采用了砂泥块含量快速测定仪，将处理好的待测砂样品装入砂泥块含量快速测定仪，注入清水，使进行适度低速搅拌后将筛上试样全部取出后烘干，在装入砂泥块含量快速测定仪，注入清水后经过20min分散软化处理后，最后经过数分钟的喷淋浸洗后可直接烘干称重。通过反复对比试验该方法与传统方法结果保持高度一致。
一种建设用砂泥块含量快速测定装置方法

[发明专利]平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法-CN202310027684.3在审
发明人：李雪;邵秀梅;李淘;杨波 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法。探测器的结构设计为：在线列探测器上设置一个异形保护环，保护环扩散孔为“梳形”或“弓形”，环绕在每个矩形光敏元的三个侧边，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法是在N‑InP/I‑InGaAs/N‑InP结构外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得光敏元扩散孔、保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过延伸电极导出。本发明的优点是：该结构既具备平面型探测器暗电流低、占空比高、探测率高、可靠性高等优点，又通过保护环有效抑制了由于载流子横向扩散造成的光敏元扩大、相邻光敏元之间存在串扰的问题。
平面型铟镓砷线列探测器异形保护环结构实现方法

[发明专利]一种阀的驱动控制及冲堵方法-CN202211249111.7在审
发明人：何永义;王阳明;邵秀梅 -专利权人：上海克来盛罗自动化设备有限公司;上海克来机电自动化工程股份有限公司;上海奥可威智能设备有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： F16K31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种阀的驱动控制及冲堵方法。该方法包括：确定阀的当前转动方向和当前目标位置，并以第一预设控制策略通过驱动装置驱动阀向当前目标位置转动；在驱动阀向当前目标位置转动过程中，调用堵转和卡滞检测程序实时判断阀是否发生堵转或卡滞；若发生堵转或卡滞，则调用冲堵程序进行冲堵，并判断冲堵是否成功；若冲堵成功，则更新当前位置信息并在阀未转动至所述当前目标位置时，返回执行驱动阀向当前目标位置转动，并调用堵转和卡滞检测程序实时判断阀是否发生堵转或卡滞的操作；若冲堵不成功，则控制阀停止转动。可满足阀在正常情况下和出现堵转或卡滞等异常情况下所需的驱动力，且在阀出现堵转或卡滞时自动进行冲堵提高阀的可靠性。
一种驱动控制方法

[实用新型]一种多功能轮椅-CN202220937032.4有效
发明人：王涛;陈海英;顾晓青;俞英;鲁青;袁梅娟;吴洁;张云昊;邵秀梅;许开彦;周丽婷 -专利权人：上海市奉贤区奉浦街道社区卫生服务中心
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： A61G5/00 文献下载
摘要：本实用新型属于轮椅技术领域，具体公开了一种多功能轮椅，包括轮椅本体、第一连接柱、第二连接柱和主板，所述轮椅本体底部靠近前端的位置对称固定连接有第二连接柱，所述第二连接柱一侧靠近底部的位置固定连接有连接块，所述第二连接柱一侧靠近顶部的位置固定连接有固定块，所述轮椅前端对称设置有第一连接柱，所述第一连接柱一侧靠近中间的位置固定连接有连接杆，所述第一连接柱一侧靠近顶部的位置固定连接有固定杆，所述固定杆与连接杆分别位于固定块和连接块上方，所述固定块顶部靠近一端的位置开设有固定插孔，所述固定杆一端连接有第一固定插销，本实用新型主板设计灵活，方便了患者就坐，有效的解决了因长时间就坐不运动导致腿部酸痛。
一种多功能轮椅

[发明专利]PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法-CN201911093674.X有效
发明人：顾溢;王红真;马英杰;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法，所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InxAl1‑xAs缓冲层、i型InyGa1‑yAs吸收层、i型InzAl1‑zAs插入层和p型InzAl1‑zAs帽层。其中，所述的InzAl1‑zAs插入层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度为2x1014cm‑3～1x1015cm‑3。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的优势在于，InGaAs探测材料结构中增加的i型插入层能够有效实现对PN结结位置的控制，从而实现器件暗电流的降低。
piin in 组分 ingaas 探测器材料结构制备方法

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法-CN201711057712.7有效
发明人：汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展。具有结构简单，成本低的优点。当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。
一种铟镓砷红外探测器制备方法

[发明专利]一种柔性InGaAs探测器的制备方法-CN201910411821.7有效
发明人：顾溢;王红真;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。
一种柔性 ingaas 探测器制备方法

[发明专利]一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法-CN201910030209.5有效
发明人：万露红;邵秀梅;李雪;邓双燕;曹高奇;程吉凤 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl1‑xAs缓冲层，InxGa1‑xAs吸收层，P+型InxAl1‑xAs帽层，氮化硅SiNx钝化膜，P电极，加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化，控制大面阵探测器芯片的翘曲度10μm，有利于实现低盲元率的焦平面器件；低应力氮化硅钝化膜的可靠性高；低应力氮化硅钝化膜的表面侧面钝化效果好。
一种应力钝化台面延伸波长铟镓砷探测器制备方法

[发明专利]一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法-CN201910246112.8有效
发明人：朱宪亮;李雪;黄松垒;李淘;邵秀梅;张永刚;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B23K28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法。本方法先通过回熔焊工艺使光敏芯片和读出电路初步形成互连，再采用高平整度材料作为倒焊过渡结构，通过倒焊过渡结构与初步互连的焦平面模块二次冷压焊使光敏芯片和读出电路实现完全互连。本方法将回熔焊和冷压焊工艺有机融合，充分发挥两种工艺的优点，在减小倒焊随机偏移的同时克服了由芯片平整度和铟柱质量引起的互连不上的问题，从而有效的提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
一种平面探测器两步倒焊工方法

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