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[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法-CN202210168985.3在审
发明人：迟克群;孟皓;刘波;石以诺;张文彪;李州;冯向;张龙龙 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：SOT电极层，用于产生自旋轨道矩效应；插入层，覆盖于SOT电极层表面；磁性隧道结，位于插入层上；其中插入层用于在形成磁性隧道结的刻蚀过程中，保护SOT电极层不受损伤。
sot mram 存储单元及其制备方法

[发明专利]差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器-CN202111196395.3在审
发明人：李州;石以诺;孟皓;冯向 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种差分存储单元和多阻态存储单元，均包括：自旋轨道矩产生层和两个磁性隧道结，两个磁性隧道结保持一定间隔地并列设置于自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，自由层靠近自旋轨道矩产生层，自由层和参考层均为垂直磁化。通过改变自旋轨道矩产生层中写电流的方向，可以分别实现差分存储和多阻态存储。
存储单元多阻态磁性存储器

[发明专利]电压调控的SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器-CN202111077321.8在审
发明人：迟克群;石以诺;孟皓;张文彪;李州;冯向 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器，该SOT‑MRAM存储单元包括：自旋轨道矩产生层、顶部电极以及位于自旋轨道矩产生层和顶部电极之间的磁性隧道结，该磁性隧道结包括：自由层，位于自旋轨道矩产生层上，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上的势垒层；位于势垒层上的参考层，具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上的间隔层；位于间隔层上的偏置层，具有与参考层磁化方向相反的磁化，用于对自由层产生一个偏置场，其中偏置层的饱和磁化强度高于参考层的饱和磁化强度；位于偏置层上的调节层，用于当顶部电极和自旋轨道矩产生层之间施加跨磁性隧道结的电压时，利用VCMA效应改变偏置层的磁各向异性。
电压调控 sot mram 存储单元存储器

[发明专利]电压调控的磁性存储单元及磁性存储器-CN202111029362.X在审
发明人：张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
电压调控磁性存储单元存储器

[发明专利]一种磁性存储器及电子设备-CN202110667674.7在审
发明人：石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储器，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结；所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层；所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层；所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合。本发明的磁性自旋阀为所述磁性存储器提供了额外的自旋转移矩，大大提高了STT效率，使用较小的电流即可驱动所述磁性存储器发生翻转，进而显著降低了所述磁性存储器的功耗，此外，磁性自旋阀对器件整体的隧道磁阻的影响较小，使器件仍能维持高隧道磁阻。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备。
一种磁性存储器电子设备

[实用新型]一种用于PICC置管患者的体外测量尺-CN202220333661.6有效
发明人：冯向 -专利权人：航天中心医院
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： A61B5/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于PICC置管患者的体外测量尺，该用于PICC置管患者的体外测量尺，第一测量尺包括沿长度方向滑动连接的第一尺段和第二尺段；第二测量尺包括沿长度方向滑动连接的第三尺段和第四尺段，第一尺段和第三尺段转动连接而具有第一极限位置和第二极限位置，当第一尺段和第三尺段处于第一极限位置时，第一尺段和第三尺段垂直分布，当第一尺段和第三尺段处于第二极限位置时，第一尺段和第三尺段平行分布；锁定结构用于将第一尺段和第三尺段锁定于第一极限位置或第二极限位置。该用于PICC置管患者的体外测量尺，能适用于不同工况，能依据需求长度适应性的调节第一测量尺和第二测量尺的长度，通用性强，实用性强。
一种用于 picc 患者体外测量

[发明专利]存算一体的磁性存储单元-CN202110284592.4在审
发明人：石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存算一体的磁性存储单元，包括：重金属层、位于重金属层表面的磁性隧道结以及磁性隧道结表面的电极，磁性隧道结包括：依次层叠设置的自由层、势垒层和参考层，所述自由层与所述重金属层相邻设置，所述重金属层与所述自由层之间的相互作用为自旋轨道矩及DMI效应；所述重金属层具有至少三个通电端口，包括两个输入端和一个控制端，两个所述输入端和所述控制端的状态共同决定所述重金属层电流方向，以进一步决定所述磁性隧道结的阻态信息。本发明能够充分利用SOT‑MRAM的物理特性进行存内计算。
一体磁性存储单元

[实用新型]一种暖通用高效通风装置-CN202123238984.1有效
发明人：冯向;李伟贞;郭昊天;张飞敏;姬建修;李蕴阳 -专利权人：河南省信任防腐工程有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： F24F7/003 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种暖通用高效通风装置，包括箱体，所述箱体中部设置有齿轮盒，所述齿轮盒内部设置有主动锥齿轮，所述主动锥齿轮下侧左右对称啮合有从动锥齿轮，主动锥齿轮上侧连接有转轴，转轴上部贯穿箱体上壁后连接有电机，两个所述从动锥齿轮均连接有转动杆，所述齿轮盒左侧的转动杆的左端设置有若干个第一桨叶，所述齿轮盒右侧的转动杆的右端设置有若干个第二桨叶，所述箱体前壁和后壁对称开设有条形通孔，每个条形通孔内侧均设置有过滤网，所述过滤网外侧设置有框架，所述箱体上壁和下壁均设置有与框架滑动连接的滑槽；本实用新型具有结构简单、调节快速、操作方便、通风效率更高且便于拆卸维护的优点。
一种暖通高效通风装置

[实用新型]一种暖通给排水管道防渗结构-CN202123238409.1有效
发明人：冯向;李伟贞;郭昊天;张飞敏;姬建修;李蕴阳 -专利权人：河南省信任防腐工程有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： F16L23/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种暖通给排水管道防渗结构，包括第一管道和第二管道，所述第一管道端部设置有第一法兰，第二管道端部设置有第二法兰；包括金属波纹管，金属波纹管两端分别设置有第三法兰和第四法兰；第一法兰和第三法兰、第二法兰和第四法兰均通过若干螺栓连接；第三法兰外环侧圆周均布若干固定块，第四法兰外环侧圆周均布若干固定环；固定块和固定环一一对应；固定块朝向其对应的固定环一侧设置有导向杆，导向杆与金属波纹管轴心线平行，导向杆穿过固定环、并与固定环滑动连接；本实用新型具有良好的稳定性和密封性，能够避免暖通给排水管道接头渗水，能够适应长管道的热胀冷缩，避免给排水管接头变形损坏，避免渗漏现象的发生。
一种暖通排水管道防渗结构

[实用新型]一种暖通弯管剪切装置-CN202123174081.1有效
发明人：冯向;李伟贞;郭昊天;张飞敏;姬建修;李蕴阳 -专利权人：河南省信任防腐工程有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B23D21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种暖通弯管剪切装置，包括底板和弯管，所述弯管中部上侧以及弯管左部和右部的下侧均设置有弧形卡扣，所述弯管下侧的两个弧形卡扣的下侧均设置有支撑杆，所述弯管上侧的弧形卡扣的上侧设置有第一电动伸缩杆，所述第一电动伸缩杆上端设置有水平板，所述水平板的左右对称转动连接有丝杠，两个丝杠中部均螺纹连接有活动板，所述活动板与导向杆滑动连接，所述活动板下侧铰接有第二电动伸缩杆，第二电动伸缩杆中部铰接有与活动板铰接的第三电动伸缩杆，第二电动伸缩杆的下端安装有剪切机构，所述侧板下侧前后对称设置有支撑柱；本实用新型具有结构简单、安全实用、调节快速、操作方便、剪切效率更高的优点。
一种暖通弯管剪切装置

[实用新型]一种给排水暖通固定安装结构-CN202123174288.9有效
发明人：冯向;李伟贞;郭昊天;张飞敏;姬建修;李蕴阳 -专利权人：河南省信任防腐工程有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： F16L3/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种给排水暖通固定安装结构，包括顶部安装板，所述顶部安装板端部设置有安装孔；顶部安装板中部下侧连接有竖直的立柱，立柱下端连接有半环形的第一箍体，第一箍体开口向下；包括半环形的第二箍体，第二箍体与第一箍体开口相对，第一箍体和第二箍体的两端均设置有折边，第一箍体和第二箍体同端的折边通过螺栓连接；第一箍体和第二箍体形成环状结构，第一箍体和第二箍体内侧面均转动连接有若干转动体；本实用新型用于给排水暖通管道的固定安装，不仅具有固定限位作用，还能够适应长管道的热胀冷缩，避免管道损坏，经久耐用，延长给排水暖通管道的使用寿命。
一种排水暖通固定安装结构

[发明专利]一种具有高热稳定性的磁隧道结-CN202111319735.7在审
发明人：张文彪;孟皓;迟克群;冯向;李州;石以诺 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高热稳定性的磁隧道结，包括依次叠加的参考层、势垒层、第一自由层、氧化镁层和覆盖层，其中：参考层，具有方向固定的垂直磁化；势垒层，用于产生隧穿效应；第一自由层，具有方向可变的垂直磁化，且通过掺杂非金属元素改变原子磁矩，以降低饱和磁化强度并增强垂直磁各向异性；氧化镁层，用于增强与第一自由层的垂直磁各向异性；覆盖层，用于降低阻尼系数，从而降低临界电流。该磁隧道结通过在磁性金属层掺杂非金属元素改变原子磁矩，从而降低饱和磁化强度及增强垂直磁各向异性，显著提高磁隧道结的热稳定性，在保证热稳定性的同时实现磁存储器的小型化，结构简单，便于生产制造。
一种具有高热稳定性隧道

[发明专利]一种具有强垂直磁各向异性和高翻转效率的磁隧道结-CN202111321331.1在审
发明人：张文彪;孟皓;迟克群;李州;石以诺;冯向 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强垂直磁各向异性和高翻转效率的磁隧道结，包括依次叠加的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层和参考层，自旋轨道耦合层包括第一重金属层和第二重金属层，第二重金属层位于第一重金属层和自由层之间，且第一重金属层和第二重金属层选用材料不同并用于配合提高电子轨道间耦合作用项对垂直磁各向异性的贡献。该磁隧道结在自旋轨道耦合层中采用双层不同材料的重金属层，能够提高电子轨道间耦合作用项对垂直磁各向异性的贡献，实现对垂直磁各向异性和翻转效率的提高，有助于提高磁存储器在小型化过程中的热稳定性，并降低功耗，结构简单，便于加工制造。
一种具有垂直各向异性翻转效率隧道

[实用新型]一种水泥线余热发电与生物质发电协同利用系统-CN202021098467.1有效
发明人：刘忠成;胡希栓;刘志斌;冯向;姜舒博;张福滨;王彩霞;董兰起 -专利权人：中材节能股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种水泥线余热发电与生物质发电协同利用系统，包括水泥窑系统，所述水泥窑系统的窑头蒸汽出口连接有窑头余热锅炉，所述水泥窑系统的窑尾蒸汽出口连接有窑尾余热锅炉，所述窑头余热锅炉和所述窑尾余热锅炉均与低压蒸汽主蒸汽母管连接，所述低压蒸汽主蒸汽母管连接有低压汽轮机发电机组，所述水泥线余热发电与生物质发电协同利用系统还包括生物质锅炉，所述生物质锅炉的蒸汽出口连接有背压汽轮机发电机组，所述背压汽轮机发电机组的低压蒸汽出口与所述低压蒸汽主蒸汽母管连接。本实用新型既利用了生物质能源，又充分利用了余热锅炉的低压过热蒸汽的余热。
一种水泥余热发电生物协同利用系统

[实用新型]无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列-CN202020154261.X有效
发明人：高娜;卢诗强;冯向;黄凯;李书平;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列，包括衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p型层；其阵列单元包括形成于n型GaN层的六边形微纳米孔，六边形微纳米孔的侧壁包括第一半极性面和第二半极性面，底面形成下极性面，InGaN/GaN多量子阱形成于第一半极性面、第二半极性面和下极性面上，p型层覆盖InGaN/GaN多量子阱。每个阵列单元包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本实用新型可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的三色LED阵列可覆盖Micro至Nano尺寸级别，制成超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
无需巨量转移三色 micro nano led 阵列

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