[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710152563.6 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107204370B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 长尾佳介;森田健士 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置形成有以覆盖漏扩散层(107)的方式到达栅氧化膜下的电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层(101)，其特征在于，在所述电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层(101)中配置第2导电型中浓度扩散层(102)，而且，通过尽可能地抑制热处理而将高浓度且结构变动小的第2导电型高浓度扩散层(103)配置在所述第2导电型中浓度扩散层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，所述半导体装置具有：第1导电型的半导体衬底；隔着栅氧化膜设置在所述半导体衬底上的栅电极；设置在所述栅电极的两侧的所述半导体衬底上的第2导电型的源扩散层和漏扩散层；被配置成覆盖所述漏扩散层且到达所述栅氧化膜下的电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层；配置在所述电场缓和用的第2导电型低浓度扩散层中的第2导电型中浓度扩散层；以及配置在所述第2导电型中浓度扩散层中的第2导电型高浓度扩散层。
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