[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710138961.2 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107204330B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王嗣裕;杜友伦;赖志育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底和堆叠的电容器。该堆叠的电容器位于半导体衬底上方。该堆叠的电容器包括下电极板、上电极板、介电层、覆盖层、第一接触通孔和第二接触通孔。下电极板位于半导体衬底上方。上电极板位于下电极板上方。介电层位于下电极板和上电极板之间。覆盖层位于上电极板上方。第一接触通孔穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层，并且电连接至所述下电极板，其中，所述第一接触通孔与所述上电极板电性隔离；以及第二接触通孔电连接至所述上电极板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及堆叠的电容器，位于所述半导体衬底上方，所述堆叠的电容器包括：下电极板，位于所述半导体衬底上方；上电极板，位于所述下电极板上方；介电层，位于所述下电极板和所述上电极板之间；覆盖层，位于所述上电极板上方；第一接触通孔，穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层，并且电连接至所述下电极板，其中，所述第一接触通孔与所述上电极板电性隔离；以及第二接触通孔，电连接至所述上电极板。
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