[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

堆叠的电容器，位于所述半导体衬底上方，所述堆叠的电容器包括：

下电极板，位于所述半导体衬底上方；

上电极板，位于所述下电极板上方并且所述上电极板的边缘与所述下电极板的边缘对准；

介电层，位于所述下电极板和所述上电极板之间；

覆盖层，位于所述上电极板上方；

第一接触通孔，穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层，并且电连接至所述下电极板，

其中，所述第一接触通孔与所述上电极板电性隔离；以及

第二接触通孔，电连接至所述上电极板，

其中，所述覆盖层的围绕所述第一接触通孔的侧壁，与所述上电极板的围绕所述第一接触通孔的侧壁彼此对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖所述第一接触通孔侧壁的第一间隔件，其中，所述第一接触通孔与所述上电极板藉由所述第一间隔件而电性隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述覆盖层包括未掺杂的硅玻璃(USG)层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触通孔由所述覆盖层、所述上电极板和所述介电层围绕。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上电极板的面积与所述下电极板的面积基本相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：互连层，位于半导体衬底上方，其中，所述堆叠的电容器位于所述互连层上方。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

堆叠的电容器，位于所述半导体衬底上方，所述堆叠的电容器包括：

下电极板，位于所述半导体衬底上方；

上电极板，位于所述下电极板上方并且所述上电极板的边缘与所述下电极板的边缘对准；

中间电极板，位于所述下电极板和所述上电极板之间，并且与所述上电极板和所述下电极板彼此相邻；

第一介电层，位于所述下电极板和所述中间电极板之间；

第二介电层，位于所述中间电极板和所述上电极板之间；

覆盖层，位于所述上电极板上方；

第一通孔，穿过所述覆盖层、所述上电极板、所述第二介电层、所述中间电极板和所述第一介电层，所述第一通孔部分地暴露所述下电极板；

第二通孔，穿过所述覆盖层、所述上电极板和所述第二介电层，所述第二通孔部分地暴露所述中间电极板；和

第三通孔，穿过所述覆盖层，所述第三通孔部分地暴露所述上电极板，

其中，所述第一通孔具有由所述第一介电层限定的第一周侧壁、以及由所述中间电极板限定的中间周侧壁，并且所述中间周侧壁与暴露所述下电极板的所述第一周侧壁对齐。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

第一间隔件，覆盖所述第一通孔的侧壁并且暴露所述下电极板；

第二间隔件，覆盖所述第二通孔的侧壁并且暴露所述中间电极板；以及

第三间隔件，覆盖所述第三通孔的侧壁并且暴露所述上电极板。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第一接触通孔，位于所述第一通孔中并且电连接至所述下电极板，其中，所述第一接触通孔通过所述第一间隔件与所述上电极板和所述中间电极板隔离；

第二接触通孔，位于所述第二通孔中并且电连接至所述中间电极板，其中，所述第二接触通孔通过所述第二间隔件与所述上电极板隔离；以及

第三接触通孔，位于所述第三通孔中并且电连接至所述上电极板。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一接触通孔的外围由所述覆盖层、所述上电极板、所述第二介电层、所述中间电极板和所述第一介电层围绕。