[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710134212.2 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107180765B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;G.梅策西;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成半导体器件的方法。根据形成半导体器件的方法的实施例，形成包括第一导电类型的第一掺杂剂种类和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二掺杂剂种类的半导体层（S100）。半导体层是包括相对的第一和第二表面的半导体主体的一部分。在第一表面处形成沟槽到半导体层中（S110）。用至少包括半导体材料的填充材料来填充沟槽（S120）。在第一和第二表面中的一者或两者处形成热氧化物，该热氧化物包括至少200nm的厚度（S130）。执行对半导体主体的热处理以引起第一和第二掺杂剂种类扩散到填充材料中（S140）。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成半导体层，所述半导体层包括第一导电类型的第一掺杂剂种类和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二掺杂剂种类，所述半导体层是包括相对的第一和第二表面的半导体主体的一部分（S100）；在第一表面处形成沟槽到半导体层中（S110）；用至少包括半导体材料的填充材料来填充沟槽（S120）；在第一和第二表面中的一者或两者处形成热氧化物，所述热氧化物包括至少200nm的厚度（S130）；以及对半导体主体的热处理，被配置成引起第一和第二掺杂剂种类扩散到填充材料中（S140）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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