[发明专利]半导体切换装置以及制造半导体切换装置的方法在审
| 申请号： | 201710040199.4 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN107017304A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;帕图斯·胡贝图斯·柯奈利斯·马尼;伊戈尔·布鲁内斯;阿努拉格·沃赫拉;让·威廉·斯伦特伯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于切换射频信号的半导体切换装置以及一种制造该半导体切换装置的方法。该装置包括具有第一导电性类型的第一半导体区域。该装置还包括位于第一半导体区域中的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有第二导电性类型。第二导电性类型不同于第一导电性类型。该装置另外包括分离源极区域与漏极区域的栅极。该装置还包括具有第二导电性类型的至少一个沉降区域。每个沉降区域可连接到外部电势以用于吸引少数载流子远离源极区域和漏极区域以减少在源极区域和漏极区域与第一半导体区域之间的接合点处的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 切换 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于切换射频信号的半导体切换装置，其特征在于，所述装置包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电性类型；位于所述第一半导体区域中的源极区域和漏极区域，其中所述源极区域和所述漏极区域具有第二导电性类型，其中所述第二导电性类型不同于所述第一导电性类型；栅极，所述栅极分离所述源极区域与所述漏极区域；以及至少一个沉降区域，所述至少一个沉降区域具有所述第二导电性类型，其中每个沉降区域可连接到外部电势以用于吸引少数载流子远离所述源极区域和漏极区域以减少在所述源极区域和漏极区域与所述第一半导体区域之间的接合点处的泄漏电流。
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