[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710010535.0 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281477B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，形成方法包括：在隔离层上以及鳍部侧壁上形成保护层；在保护层上形成非晶硅层，且位于隔离层上的非晶硅层厚度大于位于鳍部侧壁上的非晶硅层厚度；刻蚀去除位于鳍部侧壁上的非晶硅层以及位于隔离层上的部分厚度的非晶硅层；刻蚀去除暴露出的保护层，在鳍部与非晶硅层交界处形成预开口；刻蚀预开口露出的保护层以及隔离层，在鳍部与非晶硅层交界处形成开口，且开口尺寸大于预开口尺寸；对非晶硅层以及开口露出的鳍部进行氧化处理，将非晶硅层转化为氧化硅层，且在鳍部顶部和侧壁上形成界面层；在界面层上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成填充满开口的栅电极层。本发明改善了鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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