[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，包括形成于超结结构的N型柱顶部的沟槽栅，沟道区的掺杂包括在源极对应的接触孔的开口形成后、金属填充前进行带倾角的P型离子注入形成的P型离子注入杂质，P型离子注入的注入峰值的纵向深度小于等于栅极沟槽的底部表面深度，P型离子注入使沟道区的底部形成一个深度从栅极沟槽的底部到P型柱逐渐变深的轮廓结构，沟道区的底部轮廓使超结器件单元的碰撞电离最强区域从多晶硅栅侧面覆盖位置下探到沟道区的底部轮廓区域，用以提升器件的EAS能力。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的EAS能力。

主权项

1.一种超结器件，其特征在于：超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；电荷流动区的每一个所述超结单元对应于一个超结器件单元，各所述超结器件单元包括：沟槽栅，形成于所述N型柱的顶部，所述沟槽栅包括栅极沟槽以及形成于所述栅极沟槽底部表面和侧面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；沟道区形成于所述沟槽栅的两侧并延伸到所述P型柱的顶部，被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；源区形成于所述沟道区的表面；在所述P型柱的顶部形成有接触孔，该接触孔的顶部和由正面金属层形成的源极连接，所述源极通过对应的接触孔同时连接所述源区和所述沟道区；沟道区的掺杂包括在所述源极对应的接触孔的开口形成后、金属填充前进行带倾角的P型离子注入形成的P型离子注入杂质，所述P型离子注入的注入峰值的纵向深度小于等于所述栅极沟槽的底部表面深度，带倾角的所述P型离子注入使所述沟道区的底部形成一个深度从所述栅极沟槽的底部到所述P型柱逐渐变深的轮廓结构，所述沟道区的底部轮廓和所述P型柱形成一个倒伞形；所述沟道区的底部轮廓使所述超结器件单元的碰撞电离最强区域从所述多晶硅栅侧面覆盖位置下探到所述沟道区的底部轮廓区域，用以提升器件的单脉冲雪崩击穿能量能力。