[发明专利]由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法有效
| 申请号： | 201680072509.4 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108368638B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | T·米勒;W·霍维泽尔;M·什克罗鲍奈克;G·基辛格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及由单晶硅制成的半导体晶片，其包含一定浓度的氧、氮和氢；所述半导体晶片进一步包含：BMD晶种，其具有在所述半径上取平均值的不小于1×10 |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 制成 半导体 晶片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由单晶硅制成的半导体晶片，其具有中心、边缘以及在所述中心和所述边缘之间的半径R，其中所述半导体晶片具有：不小于4.9×1017个原子/cm3且不大于5.85×1017个原子/cm3的氧浓度；不小于5×1012个原子/cm3且不大于1.0×1014个原子/cm3的氮浓度；不小于3×1013个原子/cm3且不大于8×1013个原子/cm3的氢浓度；BMD晶种，其通过IR断层摄影术确定的在所述半导体晶片的所述半径上取平均值的密度不小于1×105cm‑3且不大于1×107cm‑3；表面缺陷，其在所述半径上取平均值的密度不小于1100cm‑2，所述密度是所述半导体晶片在氮气气氛中在900℃的温度下热处理8小时以及在氧气和氢气的气氛中在1100℃的温度下热处理2小时之后，通过光学显微镜检查确定的；和BMD，其密度不低于5×108/cm3的下限，所述密度是所述半导体晶片在780℃的温度下热处理3小时以及在1000℃的温度下热处理16小时之后，通过IR断层摄影术沿着所述半径从径向位置r＝R/3至径向位置r＝R/1.15确定的。
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