专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]从坩埚中所含的熔体提拉半导体材料单晶的方法-CN201780062661.9有效
  • T·施勒克;W·霍维泽尔 - 硅电子股份公司
  • 2017-09-28 - 2021-12-10 - C30B15/14
  • 本发明涉及用于从坩埚中所含的熔体提拉由半导体材料组成的单晶的方法,该方法包括:在产生所述单晶的初始锥体的阶段中提拉所述单晶,直至开始提拉所述单晶的圆柱形区段的阶段。所述方法包括:测量所述单晶的初始锥体的直径Dcr,并计算所述直径的变化dDcr/dt;从时间点t1直至时间点t2,以提拉速度vp(t)从所述熔体提拉所述单晶的初始锥体,从所述时间点t2起开始以目标直径Dcrs提拉所述单晶的圆柱形区段,其中借助于迭代计算过程预先确定在提拉所述初始锥体期间从所述时间点t1直至所述时间点t2所述提拉速度vp(t)的分布曲线。
  • 坩埚熔体提拉半导体材料方法

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