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[发明专利]通过切克劳斯基法提拉硅单晶的方法-CN202080050521.1有效
发明人： K·曼格尔贝格尔;W·霍维泽尔;M·什克罗鲍奈克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过切克劳斯基法从熔体中提拉电阻率不超过20mΩcm的硅单晶的方法，其包括以第一提拉速度提拉颈的第一部分，从而与晶种的直径相比，颈的第一部分的直径以每毫米颈长度不小于0.3mm的速率逐渐缩减至不超过5mm的目标直径；以小于0.2mm/min的第二提拉速度在不少于3min的时间段提拉颈的第二部分，颈的第二部分的直径不增加到超过5.5mm；和以大于2mm/min的第三提拉速度提拉颈的第三部分。
通过克劳斯基法提拉硅单晶方法

[发明专利]用于生产半导体晶片的方法-CN202180044647.2在审
发明人： T·米勒;M·格姆利希;G·基辛格;K·曼格尔贝格尔;M·什克罗鲍奈克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及生产单晶硅半导体晶片的方法，该方法包括：提供单晶硅衬底晶片，该衬底晶片包含浓度超过5x1016AT/cm3的间隙氧(新ASTM)；对该衬底晶片进行RTA处理，该RTA处理包含：对衬底晶片的第一热处理，该第一热处理是在处于不小于1200℃且不超过1260℃的温度范围内的第一温度下进行，持续时间不小于5秒且不超过30秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛；对衬底晶片的第二热处理，该第二热处理是在处于不小于1150℃且不超过1190℃的温度范围内的第二温度下进行，持续时间不小于15秒且不超过20秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩和氨的气氛；以及对衬底晶片的第三热处理，该第三热处理是在处于不小于1160℃且不超过1190℃的温度范围内的第三温度下进行，持续时间不小于20秒且不超过30秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛。
用于生产半导体晶片方法

[发明专利]由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法-CN201680072509.4有效
发明人： T·米勒;W·霍维泽尔;M·什克罗鲍奈克;G·基辛格 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及由单晶硅制成的半导体晶片，其包含一定浓度的氧、氮和氢；所述半导体晶片进一步包含：BMD晶种，其具有在所述半径上取平均值的不小于1×105cm‑3且不大于1×107cm‑3的密度；表面缺陷，其具有在所述半径上取平均值的不小于1100cm‑2的密度；和BMD，其密度不低于5×108/cm3的下限。本发明同样涉及用于生产由单晶硅制成的半导体晶片的方法。
单晶硅制成半导体晶片及其生产方法