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[发明专利]单晶硅制造装置的加热部、硅熔体的对流模式控制方法、单晶硅的制造方法、硅晶片的制造方法、单晶硅制造装置以及硅熔体的对流模式控制系统-CN202180086672.7在审
发明人：横山龙介;杉村涉 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：加热部(1)加热石英坩埚(4B)内的硅熔体(M)。该加热部(1)具有一体成型为圆筒状的发热部(11)和将电力供给到发热部(11)的4个电力供给部(12A～12D)。在以虚拟面(VS)将加热部(1)一分为二的情况下，将位于虚拟面(VS)的一侧的第1加热区域(1A)的发热量、与位于虚拟面(VS)的另一侧的第2加热区域(1B)的发热量设定为不同的值，所述虚拟面(VS)通过发热部(11)的中心轴线(CA)，垂直于发热部(11)，并且与施加到硅熔体(M)的水平磁场的中心的磁力线平行。
单晶硅制造装置加热硅熔体对流模式控制方法晶片以及控制系统

[实用新型]一种提高加热功率利用率且增加单产的装置-CN202321225725.1有效
发明人：杨平;张忠华;冯绍;凌继贝;吴雄;谌磊 -专利权人：内蒙古沐邦新材料有限公司
申请日： 2023-05-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高加热功率利用率且增加单产的装置，包括底座、提纯炉、炉门、抽真空管、加料管、电磁加热结构和拉制结构，所述提纯炉设于底座上，所述炉门转动设于提纯炉上，所述抽真空管设于提纯炉上，所述加料管设于提纯炉上，所述电磁加热结构设于提纯炉上，所述拉制结构设于提纯炉上，所述电磁加热结构包括支撑座、坩埚、加热控制器和电磁加热线圈，所述支撑座设于提纯炉上，所述坩埚设于支撑座上，所述加热控制器设于提纯炉上。本实用新型属于提纯炉设备技术领域，具体是指一种提高加热功率利用率且增加单产的装置，有效的解决了目前市场上提纯炉拉制时晶棒受限高度最大在1500mm，造成产量低，无法做到产能最大化生产的问题。
一种提高加热功率利用率增加单产装置

[实用新型]一种用于单晶炉的主加热器-CN202321116297.9有效
发明人：褚红生;张浩俊;赵体斌;徐洪省 -专利权人：山东星腾新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于单晶炉的主加热器，涉及单晶炉加热器技术领域，包括加热器主体，所述加热器主体的底部固定安装有连接脚，所述连接脚的底部固定连接有加固底框，所述加固底框的底部固定安装有支撑底座，所述支撑底座的上表面滑动连接有分隔挡板，所述分隔挡板的一侧滑动连接有保护外壳。本实用新型通过分隔挡板和保护外壳来对加热器主体进行限位与加固，同时再通过加固底框和支撑底座来限制分隔挡板的位置，以此来提升整个加热器主体的稳定性，在单晶炉与加料机对接时，可以承受一定量的冲击力，从而在对接加料机时，能够提升整体的稳定性，避免对接时拼接力度过大而导致加热器主体出现晃动的情况。
一种用于单晶炉加热器

[实用新型]单晶硅生产用辅助装置及单晶硅生产装置-CN202321223280.3有效
发明人：王剑桥;马玉花 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（青海）晶硅有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶硅生产用辅助装置及单晶硅生产装置。该单晶硅生产用辅助装置包括机架、升降组件和支撑组件，升降组件包括活动架和第一驱动机构，第一驱动机构与活动架连接，并用于驱动活动架相对机架沿第一方向运动，第一方向为机架的高度方向；支撑组件包括第一支撑件；第一支撑件被构造为中空结构件，第一支撑件用于与热屏的凸缘至少局部接触，以承托热屏；第一支撑件被配置为绕第一方向转动地连接于活动架，以带动热屏在连接状态与非连接状态之间切换。本申请的辅助装置操作简单，无需借助人工操作将热屏在连接状态和非连接状态之间切换，可减少热屏与人员等的接触，满足单晶硅高纯工艺要求，可降低人力成本，提高生产效率。
单晶硅生产辅助装置

[实用新型]一种单晶炉、加热器和脚板-CN202320202703.7有效
发明人：劳海兵;万军军;王新强 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脚板，用于单晶炉的加热器，包括：连接部和脚部；所述连接部的第一端用于连接所述加热器，所述连接部的第二端连接于所述脚部的第一端；所述脚部的上表面具有坡面，且所述坡面的方向为所述脚部的第一端高于所述脚部的第二端。本方案将脚板设计为坡面，同时将电极孔的位置加高，做成井口式，防止硅液流入。本实用新型还公开了一种应用上述脚板的加热器和单晶炉。
一种单晶炉加热器脚板

[实用新型]加热装置和单晶炉-CN202320250810.7有效
发明人：陈永国 -专利权人：鄂尔多斯市隆基硅材料有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加热装置和单晶炉，包括：环形发热本体、第一连接板和第二连接板，环形发热本体包括相邻设置的第一发热体和第二发热体；其中，第一发热体包括第一发热区，第二发热体包括第二发热区，第一发热区和第二发热区层叠放置；第一连接板设置于第一发热区背离第二发热区的一侧，第二连接板设置于第二发热区背离第一发热区的一侧，第一连接板和第二连接板固定连接，以使第一发热区和第二发热区固定连接。可以增加第一发热体和第二发热体的拼接处的厚度，进而可以增强环形发热本体的结构强度，避免加热装置在拼接处发生断裂或错位，可以提升加热装置的使用寿命，降低加热装置的使用成本。
加热装置单晶炉

[发明专利]单晶炉加热结构和单晶炉-CN202310952401.6在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉加热结构，包括：绝缘底盘；多个加热单元，多个所述加热单元环绕设置于所述绝缘底盘的边缘；供电单元，用于向所述加热单元施加电信号；导电块，活动连接于相邻加热单元之间，使得多个所述加热单元相串联，并与所述供电单元相配合形成回路；绝缘连接组件，绝缘连接组件的一端与导电块连接，绝缘连接组件的另一端用于与坩埚支撑轴连接，绝缘连接组件随着坩埚轴升降，带动导电块进行升降运动，以改变加热单元的加热区在第一方向上的长度，第一方向为坩埚支撑轴的轴向方向。本发明还涉及一种单晶炉。改变加热部件的加热区在坩埚支撑轴的轴向方向上的长度，可以提高晶棒的轴向温度梯度的均匀性。
单晶炉加热结构

[发明专利]捕获拉晶器的区域的瞬时热反应的方法及系统-CN202280015000.1在审
发明人：陆征;陈智勇;曾贤达;S·S·巴加瓦特;V·哈拉扎德 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于生产硅锭的系统，所述系统包含拉晶器、高温计、红外线(IR)摄像机及控制器。所述拉晶器包含具有一或多个组件的热区域，且从所述区域中可拉出硅锭。所述高温计经定位以查看在所述热区域内的受关注区域。所述IR摄像机经定位以查看在所述热区域内的一或多个额外受关注区域。所述控制器经连接到所述拉晶器、所述高温计及所述IR摄像机。所述控制器经编程以控制所述拉晶器生产硅锭，在生产所述硅锭时从所述高温计接收热区域内的所述受关注区域的温度数据，且在生产所述硅锭时从所述IR摄像机接收一或多个额外受关注区域的IR图像。
捕获拉晶器区域瞬时反应方法系统

[发明专利]一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法-CN202111678897.X有效
发明人：李早阳;李建铖;蒋馥蔓;刘立军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直拉法生长晶体的热磁耦合加热装置及配置方法，该装置包括多层阿基米德螺线型线圈，由钨或钼等高熔点且导电性良好的材料制成，在生长晶体的坩埚外围沿轴向依次排列。通过改变该热磁耦合加热装置中多层螺线型线圈的连接方式，可以获得不同的加热功率和不同类型及大小的磁场。多层螺线型线圈通以方向相同的电流时，可以产生轴向磁场；不同层通以方向相反的电流时，可以产生勾型磁场；加热功率及磁场类型和大小可在晶体生长过程中根据需要实时调控。该热磁耦合加热装置同时具备加热和磁场调控双重功能，既能够产生强磁场以改善晶体生长条件，又能够避免设置外置磁场带来的高成本及高能耗。
一种用于直拉法生长晶体耦合加热装置配置方法

[实用新型]一种加热器和单晶炉用热场-CN202320873130.0有效
发明人：梁马利;张龙龙;牛卓孝;王佳金;兰建伟 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种加热器和单晶炉用热场，加热器包括连接板和发热本体，发热本体为由多个发热瓣围合而成的环形结构；相邻的两个发热瓣包括第一发热瓣和第二发热瓣，第一发热瓣上设置有第一连接部，第二发热瓣上设置有第二连接部；连接板上分别设置有第四连接部和第五连接部；其中，第一连接部和第四连接部对应设置，并通过榫卯结合的方式固定连接；和/或，第二连接部和第五连接部对应设置，并通过榫卯结合的方式固定连接。可提高加热器的寿命，降低加热器的成本。
一种加热器单晶炉用热场

[发明专利]具有其中包含空隙的热屏蔽的拉锭器设备-CN202180088011.8在审
发明人：柯佳颖;S·S·巴加瓦特;J·柳;B·迈耶;W·卢特尔;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：公开用于通过丘克拉斯基方法制备单晶硅锭的拉锭器设备。所述拉锭器设备包含热屏蔽。所述热屏蔽具有腿片段，所述腿片段包含安置于所述腿片段中的空隙(即，无隔热件的开放空间)。所述热屏蔽还可包含部分在所述热屏蔽内的隔热件。
具有其中包含空隙屏蔽拉锭器设备

[发明专利]一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法-CN202310909015.9在审
发明人：王玉龙;黄旭光;王建芳 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开一种热场调节结构、单晶炉及单晶硅棒分割方法。该热场调节结构应用于单晶炉内，其包括：控制装置及移动保温组件，其中，移动保温组件设置于单晶炉内的导流筒和保温筒之间的空间；控制装置与移动保温组件连接，用于在单晶炉内的坩埚与导流筒相对位置发生变化的情况下，驱动移动保温组件在导流筒和保温筒之间的空间内移动，以调整位于硅溶液液面上方的空间。该热场调节结构应用到单晶炉后，能够减少单晶炉内的热量损失，并使硅溶液的温度梯度得到比较好地调控，以保证大尺寸晶体能够正常生长。
一种调节结构单晶炉单晶硅分割方法

[实用新型]一种热场-CN202321238387.5有效
发明人：申富强;张晶;闫坤 -专利权人：上海骐杰碳素材料有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热场，涉及单晶硅制备的热场技术领域。本实用新型包括炉底护盘、保温筒、加热器、设于保温筒上部的支撑环；位于炉底护盘与支撑环之间安装有可替换的圆筒状的屏障，屏障位于加热器与热场内的坩埚之间；屏障上部与热场接触形成密封结构，且下部与炉底护盘相接触后形成全密封或半密封结构。本实用新型的可替换屏障上部与热场接触形成上部密封，且下部为整体与炉底护盘构成全密封或下部采用腿支撑与炉底护盘构成半密封，使硅蒸汽由原来的直接与加热器接触而替换成与可替换的屏障相接触，能够有效防止硅蒸汽直接对加热器进行侵蚀，降低加热器被侵蚀程度，有效防止加热器的变形，延长加热器寿命。
一种

[实用新型]一种直拉单晶硅的热场装置-CN202320015129.4有效
发明人：傅志斌;佟兴雪;傅欣;简晖;徐康 -专利权人：安徽阜兴新能源科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了直拉单晶硅制备装置领域的一种直拉单晶硅的热场装置，包括碳碳材料保温桶内层、新型耐高温隔热保温填充料和碳碳材料保温桶外层，碳碳材料保温桶内层与碳碳材料保温桶外层为一体式铸造的一个圆筒状保温桶，保温桶位于碳碳材料保温桶内层与碳碳材料保温桶外层之间开设有空腔夹层，新型耐高温隔热保温填充料设置于空腔夹层中。本装置，新型耐高温隔热保温填充料的导热系数是石墨碳毡的十分之一，取代或部分取代石墨碳毡可以达到降低直拉单晶硅功率、减少石墨碳毡消耗、提高晶体品质的目的。
一种单晶硅装置

[实用新型]一种单晶炉热场及单晶炉-CN202320046042.3有效
发明人：王莎莎;成路;张朝光;马少林;文永飞;丁彪;程磊;高攀红 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种单晶炉热场及单晶炉，其中，单晶炉热场包括加热器及坩埚，所述加热器绕所述坩埚设置于单晶炉的炉体内，且所述加热器的上沿与所述坩埚的上沿之间的第一高度差为‑110mm～90mm。本申请实施例提供的单晶炉热场，可以有效缓解加热器对坩埚的腐蚀，降低氧含量，提升拉晶速率，同时减小热量损失，有利于节约生产成本。
一种单晶炉热场单晶炉

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