[实用新型]一种垂直型半导体器件的双面终端结构有效
| 申请号： | 201620900426.7 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN205984993U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 温家良;崔磊;徐哲;金锐;王耀华;赵哿 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本实用新型提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 半导体器件 双面 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。
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