[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611257688.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106972052B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吴宏祥;吴国铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：衬底；栅极结构，形成于衬底上；源极区与漏极区，形成于栅极结构的任一侧上的衬底中，源极区与漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中介电层的第一部分形成于栅极结构的一部分上，以及介电层的第二部分形成于衬底上并且延伸到漏极区的一部分，其中介电层包含至少一凹部于第二部分上。本发明实施例还提供一种相关的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底上；源极区与漏极区，形成于所述栅极结构的任一侧上的所述衬底中，所述源极区与所述漏极区皆具有第一传导型；以及介电层，其具有第一部分与第二部分，其中所述介电层的所述第一部分形成于所述栅极结构的一部分上，以及所述介电层的所述第二部分形成于所述衬底上并且延伸到所述漏极区的一部分，其中所述介电层包含至少一凹部于所述第二部分上。
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