[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611193592.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107346782B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了鳍型场效应晶体管，包括衬底、绝缘体、栅极堆叠件、密封间隔件、第一偏移间隔件和第二偏移间隔件。衬底具有位于其上的鳍。绝缘体位于衬底上方和鳍之间。栅极堆叠件位于鳍上方和绝缘体上方。密封间隔件位于栅极堆叠件的侧壁上方。第一偏移间隔件位于密封间隔件上方。第二偏移间隔件位于第一偏移间隔件上方。本发明的实施例还涉及鳍型场效应晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管，包括：衬底，具有多个鳍；多个绝缘体，位于所述衬底上方和所述鳍之间；栅极堆叠件，位于所述鳍上方和所述绝缘体上；密封间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方；以及第一偏移间隔件，位于所述密封间隔件上方，并且具有3‑5的介电常数。
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