[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法

说明书

本发明描述了鳍型场效应晶体管，包括衬底、绝缘体、栅极堆叠件、密封间隔件、第一偏移间隔件和第二偏移间隔件。衬底具有位于其上的鳍。绝缘体位于衬底上方和鳍之间。栅极堆叠件位于鳍上方和绝缘体上方。密封间隔件位于栅极堆叠件的侧壁上方。第一偏移间隔件位于密封间隔件上方。第二偏移间隔件位于第一偏移间隔件上方。本发明的实施例还涉及鳍型场效应晶体管的制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及鳍型场效应晶体管及其制造方法。

背景技术

由于半导体器件的尺寸保持按比例缩小，已经开发了诸如鳍型场效应晶体管(FinFET)的三维多栅极结构以替代平面CMOS器件。FinFET的结构部件是从衬底的表面直立延伸的硅基鳍，并且包裹在沟道周围的栅极还提供对沟道的更好的电气控制。

发明内容

本发明的实施例提供了一种鳍型场效应晶体管，包括：衬底，具有多个鳍；多个绝缘体，位于所述衬底上方和所述鳍之间；栅极堆叠件，位于所述鳍上方和所述绝缘体上；密封间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方；以及第一偏移间隔件，位于所述密封间隔件上方，并且具有3-5的介电常数。

本发明的另一实施例提供了一种鳍型场效应晶体管，包括：衬底，具有多个鳍；多个绝缘体，位于所述衬底上方和所述鳍之间；栅极堆叠件，位于所述鳍上方和所述绝缘体上；密封间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方，其中，所述密封间隔件的材料包括碳浓度为1-12at％的SiCN；第一偏移间隔件，位于所述密封间隔件上方；伪间隔件，位于所述第一偏移间隔件上方，其中，所述伪间隔件的材料包括碳浓度为0.5-2at％的SiCN；以及第二偏移间隔件，位于所述伪间隔件上方。

本发明的又一实施例提供了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底；图案化所述衬底以形成多个鳍；在所述鳍之间形成多个绝缘体；在所述衬底上方和所述绝缘体上形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构覆盖所述鳍的部分；在所述堆叠结构的侧壁上方形成密封间隔件；在所述密封间隔件上方形成第一偏移间隔件；在所述第一偏移间隔件上方形成伪间隔件；通过去除未被所述堆叠结构覆盖的所述鳍的多个部分而在所述鳍中形成多个凹槽；在所述绝缘体之间的所述凹槽中和所述堆叠结构的两个相对侧上形成多个应变材料部分；在所述伪间隔件上方形成第二偏移间隔件；以及实施处理工艺以钝化所述第二偏移间隔件的悬空键。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的示出用于形成FinFET的制造方法的工艺步骤的示例性流程图。

图2A至图2I是根据本发明的一些实施例的示出处于制造方法的各个阶段的FinFET的立体图。

图3A至图3I是根据本发明的一些实施例的示出处于制造方法的各个阶段的FinFET的截面图。

图4A是根据本发明的一些实施例的示出用于形成FinFET的制造方法的工艺步骤的示例性流程图。

图4B是根据本发明的一些实施例的示出处于制造方法的各个阶段的FinFET的立体图。

图4C是根据本发明的一些实施例的示出处于制造方法的各个阶段的FinFET的截面图。

具体实施方式