[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611193592.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107346782B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍型场效应晶体管，包括：
衬底，具有多个鳍；
多个绝缘体，位于所述衬底上方和所述鳍之间；
栅极堆叠件，位于所述鳍上方和所述绝缘体上；
密封间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方；
第一偏移间隔件，位于所述密封间隔件上方，并且具有3-5的介电常数；
伪间隔件，位于所述第一偏移间隔件上方；以及
源极/漏极区，位于所述栅极堆叠件的相对侧上，所述源极/漏极区的侧壁分别与所述伪间隔件的侧壁的部分接触并在所述伪间隔件的所述侧壁的所述部分上延伸；
其中，所述密封间隔件的表面和所述伪间隔件的表面彼此共面并且与所述栅极堆叠件的表面齐平，所述伪间隔件的所述侧壁连接于所述伪间隔件的表面，并且所述伪间隔件的所述侧壁的延伸方向垂直于所述伪间隔件的所述表面的延伸方向。
2.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述密封间隔件的材料具有4-7的介电常数。
3.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述密封间隔件的材料包括SiCN。
4.根据权利要求3所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述密封间隔件的材料具有1-12at％的碳浓度。
5.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述第一偏移间隔件的材料包括SiCON、SiCO或SiOF。
6.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管，还包括位于所述第一偏移间隔件上方并且具有3-6的介电常数的第二偏移间隔件。
7.根据权利要求6所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述第二偏移间隔件的材料具有小于1*1011cm-3的浓度的悬空键。
8.根据权利要求6所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述第二偏移间隔件的材料包括SiCN或SiC。
9.根据权利要求6所述的鳍型场效应晶体管，所述伪间隔件具有5-7的介电常数。
10.根据权利要求9所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述伪间隔件的材料包括SiCN。
11.根据权利要求9所述的鳍型场效应晶体管，其中，所述伪间隔件的材料具有0.5-2at％的碳浓度。
12.一种鳍型场效应晶体管，包括：
衬底，具有多个鳍；
多个绝缘体，位于所述衬底上方和所述鳍之间；
栅极堆叠件，位于所述鳍上方和所述绝缘体上；
密封间隔件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方，其中，所述密封间隔件的材料包括碳浓度为1-12at％的SiCN；
第一偏移间隔件，位于所述密封间隔件上方；
伪间隔件，位于所述第一偏移间隔件上方，其中，所述伪间隔件的材料包括碳浓度为0.5-2at％的SiCN；
第二偏移间隔件，位于所述伪间隔件上方；以及
源极/漏极区，位于所述栅极堆叠件的相对侧上，所述源极/漏极区的侧壁分别与所述伪间隔件的侧壁的部分接触并在所述伪间隔件的所述侧壁的所述部分上延伸；
其中，所述密封间隔件的表面和所述伪间隔件的表面彼此共面并且与所述栅极堆叠件的表面齐平，所述伪间隔件的所述侧壁连接于所述伪间隔件的表面，并且所述伪间隔件的所述侧壁的延伸方向垂直于所述伪间隔件的所述表面的延伸方向。
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