[发明专利]单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611181916.7 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106785899B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 朱刚毅;王永进 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/10 |
| 代理公司： | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人： | 刘琦 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法，在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻工艺和硅刻蚀工艺制备悬空非对称环形薄膜微腔，该微腔的水平横截面形状是“圆环+锥角+缺口”，在微腔缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体，在光泵浦条件下，金纳米棒对微腔中的激光进行选模调制，最终实现单方向发射的氮化物锁模回音壁模激光。 | ||
| 搜索关键词： | 方向 发射 氮化物 回音壁 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器，其特征在于，该激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅基底、设置在所述硅基底上的硅柱、由所述硅柱支撑的悬空的非对称环形薄膜微腔结构，所述非对称环形薄膜微腔结构由氮化物构成，包括环形的本体(I)、设置在所述本体(I)内部的微腔、设置在本体(I)周向外侧的突出锥角(II)，所述本体(I)上设置有将微腔与外部连通的缺口(III)，所述突出锥角(II)由本体(I)圆周切线、本体(I)圆周上弧线和本体(I)外的弧线围成，所述本体(I)外的弧线与本体(I)圆周相交的夹角为锐角，所述缺口(III)中修饰有金属纳米棒，所述缺口(III)中修饰的金纳米棒，在光泵浦条件下作为半导体饱和吸收体对微腔中的激光进行模式调制，实现单方向发射的氮化物锁模回音壁激光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611181916.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 多模激光器及其多模调节方法-201710342201.3
- 杨涛;袁慧宏 - 中国科学院半导体研究所
- 2017-05-12 - 2019-08-20 - H01S5/065
- 一种多模激光器及多模调节方法，其中多模激光器包括：激光器，用于发射宽光谱激光；至少一个分束镜，用于将宽光谱激光分为至少两个分光束；至少两个光学支路，分别用于传输至少两个分光束，每个光学支路包括：闪耀光栅，用于筛选传输的分光束，得到单一波长的光，并将单一波长的光反馈至激光器；可调光衰减器，用于调节反馈至激光器的单一波长的光的光强度。由于每个光学支路中均包括闪耀光栅和可调光衰减器，可以在腔外调节多模中的每个模式的强度，从而避免了激光器的内部调节，因此也可适用于强度不均衡的增益谱，即降低了半导体激光器增益谱平坦化的要求，使本发明的多模激光器更加普适。
- 一种具有二次谐振腔的半导体激光器-201610557020.8
- 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2016-07-15 - 2019-06-25 - H01S5/065
- 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
- 一种用于CPT原子钟的VCSEL温度点扫描方法及系统-201811585192.1
- 张旭;张振伟;陈星;薛潇博;杨仁福;王暖让;赵环 - 北京无线电计量测试研究所
- 2018-12-24 - 2019-03-15 - H01S5/065
- 本发明公开了一种用于CPT原子钟的VCSEL温度点扫描系统，包括采集VCSEL实时温度的温度采集单元、调节VCSEL的温度控制单元、采集VCSEL波长的光谱仪以及主控单元；所述主控单元用于通过所述温度控制单元调节所述VCSEL的温度，通过所述温度采集单元采集VCSEL的实时温度，并通过所述光谱仪采集所述VCSEL的波长，确定预定波长下VCSEL的实时温度为所述VCSEL的温控温度，本发明还公开了一种用于CPT原子钟的VCSEL温度点扫描方法，本发明可实现VCSEL温度点的快速、方便扫描。
- 一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器-201611196557.2
- 肖希;王磊;陈代高;李淼峰 - 武汉邮电科学研究院
- 2016-12-22 - 2019-03-08 - H01S5/065
- 本发明公开了一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器，包括硅光芯片、可饱和吸收体薄膜和放置在可饱和吸收体薄膜上方，并且与硅光芯片上的光路形成光学谐振腔的半导体光放大器、准直透镜和反射棱镜；可饱和吸收体薄膜覆盖在硅光芯片表面，产生光学非线性吸收，实现被动锁模；半导体光放大器作为增益介质，其两个端面分别镀有反射膜和增透膜，镀有反射膜的端面靠近光学谐振腔外侧，镀有增透膜的端面靠近准直透镜；准直透镜实现半导体光放大器与硅光芯片的光束模场和数值孔径匹配；反射棱镜对硅光芯片的入射光束进行垂直折转或对出射光束进行水平折转。本发明便于光学谐振腔的缩小和可饱和吸收体薄膜覆盖，实现超小型、高重复频率和波长可调谐。
- 一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法-201611205957.5
- 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;杨奇;余少华 - 武汉邮电科学研究院
- 2016-12-23 - 2019-03-08 - H01S5/065
- 本发明公开了一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法，该硅基可调谐激光器包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，第一、第二取样光栅间隔连接；耦合器将半导体光放大器输出的光场传输至TE0模波导，得到TE0模的光场；模式变换器将TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；第一、第二取样光栅将新模式的光场反射回半导体光放大器。本发明不需要采用更精密的加工手段，大大降低了工艺成本，而且工艺稳定性更高，同时，第一、第二取样光栅在同一条波导上，可省去光分路器，降低复杂度。
- 一种基于中频选频的光电振荡器-201710345824.6
- 郭姣姣;祝艳宏;金晓峰;余显斌;金向东;章献民;池灏;郑史烈 - 浙江大学
- 2017-05-17 - 2019-01-29 - H01S5/065
- 本发明公开了一种基于中频选频的光电振荡器，包括本振信号源、微波功分器、激光器、保偏光纤、单模光纤、电光调制器、光电探测器、微波带通滤波器、混频器、中频带通滤波器、中频放大器；利用上下变频，通过一个窄带的中频带通滤波器来抑制OEO的边模，使得OEO环路做的更长来实现高Q值；通过相应长度的保偏光纤对中频带通滤波器群时延的匹配，消除本振信号的相位噪声影响。本发明的OEO结构中上变频采用了微波光子链路实现，具有带宽大，插入损耗小的优势，通过提高激光功率可以显著减小变频损耗。
- 半导体激光设备组件-201410183449.6
- 河野俊介;仓本大;幸田伦太郎 - 索尼公司
- 2014-04-30 - 2019-01-18 - H01S5/065
- 本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
- 单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法-201611181916.7
- 朱刚毅;王永进 - 南京邮电大学
- 2016-12-19 - 2019-01-08 - H01S5/065
- 本发明公开了一种单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法，在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻工艺和硅刻蚀工艺制备悬空非对称环形薄膜微腔，该微腔的水平横截面形状是“圆环+锥角+缺口”，在微腔缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体，在光泵浦条件下，金纳米棒对微腔中的激光进行选模调制，最终实现单方向发射的氮化物锁模回音壁模激光。
- 一种锁模半导体激光器-201710508287.2
- 吴砺;贺坤;孙正国;董海军;林磊 - 福州高意光学有限公司
- 2017-06-28 - 2019-01-04 - H01S5/065
- 本发明公开一种锁模半导体激光器，对半导体激光器准直光采用大部分透射，少部分准直光部分波长全反射反馈结构实现对半导体激光波长的锁定，其中采用大部分透和少部分全反输出腔片与全反射光栅结构或阵列微透镜中一片微透镜耦合少部分LD激光进入光纤全反射光栅实现激光腔反馈结构。该结构可大规模廉价应用于光纤通讯无源器件中，从而使半导体激光器波长锁定技术，可大规模廉价快速工业化，大规模应用于半导体泵浦的固体激光器。
- 快速可调谐的可变栅格激光器-201580080800.1
- 吴波;邱少锋;马雅男;邓宁 - 华为技术有限公司
- 2015-06-25 - 2018-02-16 - H01S5/065
- 一种快速可调谐的可变栅格激光器，包括贴于衬底上的有源腔(101)、硅基波导(102)、微环波导(103)和多模干涉MMI耦合器(104)。有源腔(101)包括发光腔(1011)及相位调制区PMR(1012)。硅基波导(102)包括上波导(1021)及下波导(1022)。微环波导(103)的环内外间设有PN结。其中，发光腔(1011)的输出端级联相位调制区PMR(1012)的输入端，相位调制区PMR(1012)的输出端级联上波导(1021)，微环波导(103)设置于上波导(1021)和下波导(1022)之间，下波导(1022)的输出端级联多模干涉MMI耦合器(104)的输入端，多模干涉MMI耦合器(104)的第二输出端级联透镜耦合端面。这种快速可调谐的可变栅格激光器实现了与外部调制信号对应频率粒度的波长精细调谐，提高了光纤带宽资源的利用效率。
- 一种连续光注入半导体光放大器的脉冲激光器-201710493305.4
- 潘洪刚;张爱玲;姚远;张悦;宋红云 - 天津理工大学
- 2017-06-26 - 2017-10-27 - H01S5/065
- 一种连续光注入半导体光放大器的脉冲激光器，属于光纤通信和光电子技术领域，由第一波长可调谐窄线宽单频激光(1)、第二波长可调谐窄线宽单频激光器(2)、3*3光纤耦合器(3)、偏振控制器(4)、半导体光放大器(5)、偏振相关隔离器(6)、可调谐带通滤波器(7)、铒镱共掺光纤放大器(8)组成。激光器的外部注入双路单频激光时，脉冲重复频率由双路激光的拍频和激光器本身的腔基频；激光器的外部注入单路单频激光时，脉冲重复频率和脉冲宽度由单路激光的功率决定，发明的优点是该脉冲光纤激光器结构简单、成本低、脉宽和重复频率可调谐，能够在常温下稳定工作。
- 一种2.1微米波段脉冲激光的产生装置-201621005081.5
- 于永芹;谢建;梁德志;杜晨林;阮双琛 - 深圳大学
- 2016-08-31 - 2017-08-04 - H01S5/065
- 本实用新型适用于光学领域，提供了一种2.1微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦脉冲激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂钕离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦脉冲激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂钕离子的钒酸盐晶体，钕离子通过受激辐射，产生1.34微米波段脉冲激光，所述1.34微米波段脉冲激光在所述谐振腔内震荡；所述钒酸盐晶体对所述1.34微米波段脉冲激光进行三次拉曼变频作用及锁膜作用，输出2.1微米波段脉冲激光。本实用新型所提供的2.1微米波段脉冲激光的产生装置，避免了可饱和吸收体光损伤阈值较低的局限性，获得高功率、高能量的2.1μm波段脉冲激光。
- 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器-201621247336.9
- 徐玉兰;林琦;林中晞;苏辉 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2016-11-14 - 2017-06-06 - H01S5/065
- 本实用新型涉及一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器，所述激光器采用脊波导结构，在该脊波导结构的脊上依次形成脊增益区、脊波导电隔离区和脊波导饱和吸收区；在所述脊增益区侧边的任意位置形成侧边可调增益/吸收区。侧边可调增益/吸收区根据施加电压的不同，可为增益区，也可为吸收区。本实用新型利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射；利用侧边吸收区所具有的饱和吸收特性，有效压缩脉冲宽度；利用侧边脊增益区的增益放大特性，提高光脉冲的输出功率。从而实现锁模激光器高质量超短脉冲的输出，同时适当降低对制备工艺精度的要求，简化了激光器性能测试时电流电压复杂的调试。
- 一种外腔可调谐激光器以及其腔模锁定方法-201410476908.X
- 汤学胜;傅焰峰;钱坤;罗勇;陈义宗;张玓;胡强高;唐毅;罗超 - 武汉光迅科技股份有限公司
- 2014-09-18 - 2017-05-10 - H01S5/065
- 本发明公开了一种外腔可调谐激光器以及其腔模锁定方法，其包括用于提供增益的半导体光放大器(1)，半导体光放大器(1)两端面上分别镀有部分反射膜与增透膜，扩束准直透镜(2)、可调谐滤波器(3)，固定栅格滤波器(4)和外腔反射镜(6)设置于所述半导体光放大器(1)镀有增透膜的一侧组成所述外腔可调谐激光器的外腔，所述外腔可调谐激光器的外腔进一步包括大相位调节组件(5)和相位快速调节组件(7)；所述大相位调节组件(5)能够对所述外腔可调谐激光器的外腔的腔长进行大范围的调节；所述相位快速调节组件(7)能够对所述外腔可调谐激光器的外腔的腔长进行快速的调节；本发明装置和方法用于实现波长锁定，结构简单，波长锁定精度高。
- 一种半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器-201621137685.5
- 陈培锋;梁乔春;龚磊 - 武汉市凯瑞迪激光技术有限公司
- 2016-10-20 - 2017-04-12 - H01S5/065
- 本实用新型提供了一种半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器，包括半导体激光器泵浦模块、旋转增益介质和激光谐振腔，其中所述半导体激光器泵浦模块包括半导体激光器和泵浦光耦合系统，所述激光谐振腔包括组成谐振腔的镜片以及锁模器件；所述旋转增益介质设置于所述激光谐振腔中；所述半导体激光器发出的泵浦光经泵浦光耦合系统整形后耦合进入所述激光谐振腔中的旋转增益介质，从而旋转增益介质在泵浦光的激励下产生受激辐射，受激辐射生成的激光在所述激光谐振腔内振荡并模式锁定后从所述激光谐振腔输出。本实用新型提出的半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器方案能得到高功率、高光束质量的超快锁模脉冲激光输出。
- 一种2.3微米波段脉冲激光的产生装置-201621007184.5
- 杜晨林;梁德志;谢建;于永芹;阮双琛 - 深圳大学
- 2016-08-31 - 2017-04-12 - H01S5/065
- 本实用新型适用于光学领域，提供了一种2.3微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦脉冲激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂铥离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦脉冲激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂铥离子的钒酸盐晶体，铥离子通过受激辐射，产生1.9微米波段脉冲激光，所述1.9微米波段脉冲激光在所述谐振腔内震荡；所述钒酸盐晶体对所述1.9微米波段脉冲激光进行拉曼变频作用及锁模作用，输出2.3微米波段脉冲激光。本实用新型提供的2.3微米波段脉冲激光的产生装置，避免了可饱和吸收体光损伤阈值较低的局限性，获得了高功率、高能量的2.3μm波段超短脉冲激光。
- 一种半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器-201610915136.4
- 陈培锋;梁乔春;龚磊 - 武汉市凯瑞迪激光技术有限公司
- 2016-10-20 - 2017-01-25 - H01S5/065
- 本发明提供了一种半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器，包括半导体激光器泵浦模块、旋转增益介质和激光谐振腔，其中所述半导体激光器泵浦模块包括半导体激光器和泵浦光耦合系统，所述激光谐振腔包括组成谐振腔的镜片以及锁模器件；所述旋转增益介质设置于所述激光谐振腔中；所述半导体激光器发出的泵浦光经泵浦光耦合系统整形后耦合进入所述激光谐振腔中的旋转增益介质，从而旋转增益介质在泵浦光的激励下产生受激辐射，受激辐射生成的激光在所述激光谐振腔内振荡并模式锁定后从所述激光谐振腔输出。本发明提出的半导体激光器端面泵浦旋转增益介质的锁模激光器方案能得到高功率、高光束质量的超快锁模脉冲激光输出。
- 基于半导体双模激光器的可调谐光生微波源-201410299327.3
- 潘碧玮;陆丹;赵玲娟;余力强 - 中国科学院半导体研究所
- 2014-06-26 - 2017-01-25 - H01S5/065
- 一种基于半导体双模激光器的可调谐光生微波源，包括一放大反馈激光器；一三端口光环形器，其端口2与放大反馈激光器连接；一光耦合器，其端口1与三端口光环形器的端口3连接；一光纤放大器，其输入端与光耦合器的端口2连接，使得反馈强度大于放大反馈激光器自注入锁定的阈值；一偏振控制器，其输入端与光纤放大器的输出端连接，其输出端与三端口光环形器的端口1连接，用于控制反馈回路注入回放大反馈激光器的反馈信号的偏振状态；本发明可克服双模激光器产生的微波信号在稳定度和线宽方面的不足，本发明无需外微波源作为基准就可以产生窄线宽可调谐的微波源，具有集成度高，结构紧凑，稳定性好，制作工艺简单，成本低，易于实现的优点。
- 一种2.3微米波段脉冲激光的产生装置、产生方法及应用-201610778567.0
- 杜晨林;梁德志;谢建;于永芹;阮双琛 - 深圳大学
- 2016-08-31 - 2016-12-21 - H01S5/065
- 本发明适用于光学领域，提供了一种2.3微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦脉冲激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂铥离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦脉冲激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂铥离子的钒酸盐晶体，铥离子通过受激辐射，产生1.9微米波段脉冲激光，所述1.9微米波段脉冲激光在所述谐振腔内震荡；所述钒酸盐晶体对所述1.9微米波段脉冲激光进行拉曼变频作用及锁模作用，输出2.3微米波段脉冲激光。本发明提供的2.3微米波段脉冲激光的产生装置，避免了可饱和吸收体光损伤阈值较低的局限性，获得了高功率、高能量的2.3μm波段超短脉冲激光。
- 一种2.1微米波段脉冲激光的产生装置、产生方法及应用-201610784985.0
- 于永芹;谢建;梁德志;杜晨林;阮双琛 - 深圳大学
- 2016-08-31 - 2016-12-21 - H01S5/065
- 本发明适用于光学领域，提供了一种2.1微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦脉冲激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂钕离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦脉冲激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂钕离子的钒酸盐晶体，钕离子通过受激辐射，产生1.34微米波段脉冲激光，所述1.34微米波段脉冲激光在所述谐振腔内震荡；所述钒酸盐晶体对所述1.34微米波段脉冲激光进行三次拉曼变频作用及锁膜作用，输出2.1微米波段脉冲激光。本发明所提供的2.1微米波段脉冲激光的产生装置，避免了可饱和吸收体光损伤阈值较低的局限性，从而获得高功率、高能量的2.1μm波段超短脉冲激光。
- 一种2.9微米波段脉冲激光的产生装置、产生方法及应用-201610816417.4
- 杜晨林;梁德志;谢建;于永芹;阮双琛 - 深圳大学
- 2016-09-12 - 2016-12-21 - H01S5/065
- 本发明适用于光学领域，提供了一种2.9微米波段脉冲激光的产生装置，包括半导体泵浦激光器、泵浦光聚焦耦合系统及谐振腔，所述谐振腔包括端面泵浦激光介质，所述端面泵浦激光介质为掺杂铥离子的钒酸盐晶体；所述半导体泵浦激光器产生的泵浦光经所述泵浦光聚焦耦合系统耦合进入所述掺杂铥离子的钒酸盐晶体，铥离子通过受激辐射，产生1.9微米波段脉冲激光；所述钒酸盐晶体对所述1.9微米脉冲波段激光进行拉曼变频作用及锁模作用，产生2.3微米波段脉冲激光；所述钒酸盐晶体对所述2.3微米波段脉冲激光进行拉曼变频作用及锁模作用，输出2.9微米波段脉冲激光。本发明所提供的2.9微米波段脉冲激光的产生装置，获得了高功率、高能量的2.9μm波段超短脉冲激光。
- 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器-201620331025.4
- 崔碧峰;房天啸;郝帅 - 北京工业大学
- 2016-04-19 - 2016-12-21 - H01S5/065
- 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域。这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该实用新型在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
- 一种用于输出飞秒脉冲的锁模激光器-201610384022.1
- 刘松涛;张瑞康;陆丹;吉晨 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-06-01 - 2016-10-26 - H01S5/065
- 本发明提供了一种用于输出飞秒脉冲的锁模激光器，包括在两解理面之间通过无源脊波导依次连接的半导体饱和吸收体、半导体光放大器、多通道阵列波导光栅和相位延迟波导阵列。本发明提供的锁模激光器无需利用外部脉冲压缩技术即可获得飞秒脉冲输出，具有制作工艺简单、结构紧凑、成本低廉、易于大规模生产等优点。
- 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法-201610443677.1
- 许俊杰;梁松;朱洪亮 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-06-20 - 2016-10-26 - H01S5/065
- 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。
- 一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置-201620162575.8
- 黎华;朱永浩;曹俊诚 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2016-03-03 - 2016-07-27 - H01S5/065
- 本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置，所述装置至少包括：微波发生器、耦合器、T型偏置器、太赫兹量子级联激光器、频谱仪以及红外光谱仪；所述微波发生器依次通过所述耦合器、T型偏置器与所述太赫兹量子级联激光器的输入端相连；所述红外光谱仪与所述太赫兹量子级联激光器的输出端相连；所述频谱仪与所述耦合器相连。本实用新型能够对单模工作、驱动电流在阈值电流附近的太赫兹量子级联激光器进行微波注入，通过改变微波发生器注入的频率能够分别实现在原来单模工作频率左侧增加一个模式、两侧同时增加多个模式、右侧增加一个模式，注入的同时不影响激光器工作温度。
- 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器-201610244288.6
- 崔碧峰;房天啸;郝帅 - 北京工业大学
- 2016-04-19 - 2016-07-06 - H01S5/065
- 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域，这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该发明在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
- 一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置及方法-201610120665.5
- 黎华;朱永浩;曹俊诚 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2016-03-03 - 2016-05-11 - H01S5/065
- 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器模式调制的装置及方法，所述装置至少包括：微波发生器、耦合器、T型偏置器、太赫兹量子级联激光器、频谱仪以及红外光谱仪；所述微波发生器依次通过所述耦合器、T型偏置器与所述太赫兹量子级联激光器的输入端相连；所述红外光谱仪与所述太赫兹量子级联激光器的输出端相连；所述频谱仪与所述耦合器相连。本发明能够对单模工作、驱动电流在阈值电流附近的太赫兹量子级联激光器进行微波注入，通过改变微波发生器注入的频率能够分别实现在原来单模工作频率左侧增加一个模式、两侧同时增加多个模式、右侧增加一个模式，注入的同时不影响激光器工作温度。
- 高精度频率线性调谐窄线宽激光器装置-201510170765.4
- 蔡海文;卢斌;董作人;魏芳;陈迪俊;潘政清 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 2015-04-13 - 2015-08-05 - H01S5/065
- 一种高精度频率线性调谐窄线宽激光器装置，该装置包括：参考晶振、鉴频/鉴相器、环路滤波器、压控振荡器、可编程分频器、倍频器、高速开关、微波放大器、第二低通滤波器、模数转换器、控制器、数模转换器、窄线宽光纤激光器、电光调制器、可调谐衰减器、可调谐光学滤波器、环形器、半导体激光器、电流驱动控制器、温度控制器等。该装置解决了现有的高阶边带注入锁定技术中的低噪声射频信号的产生问题，并解决了对从激光器的同步电流补偿问题，解决了从激光器高阶边带注入锁定问题，可以实现窄线宽激光器输出频率的精密控制、线性调谐等功能。
- 单片集成式多波长半导体锁模激光器-201410613588.8
- 刘松涛;张希林;陆丹;张瑞康;吉晨;王圩 - 中国科学院半导体研究所
- 2014-11-04 - 2015-05-13 - H01S5/065
- 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。
- 一种改善半导体激光器光谱合束光束质量的装置-201420352191.3
- 孟慧成;谭昊;余俊宏;杜维川;王昭;高松信;武德勇 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2014-06-30 - 2014-11-12 - H01S5/065
- 本实用新型公开了一种改善半导体激光器光谱合束光束质量的装置，包括半导体激光器、准直镜一、准直镜二、空间变换透镜、光栅、分光镜、全反镜一、全反镜二、滤波器、聚焦镜、耦合光纤；所述半导体激光器发射出的激光经过光栅合束后由分光镜分成两束不同比例的光束，其中一束光垂直与全反镜一、全反镜二；本实用新型由于半导体激光器外腔反馈属于弱反馈，通过在光栅衍射方向采用一分光镜，将分束后的一束光在带有滤波器的F-P腔中形成振荡，选取低阶模式的光束进行反馈注入锁定光谱，以此来改善半导体激光器光谱合束输出光束的光束质量，降低对光谱合束单元器件的要求。
- 专利分类
