[发明专利]一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201611144035.8 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783947A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 朱宇清;郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的VDMOS器件基础上，绝缘层采用BPSG并且在上面低压沉积Si3N4绝缘层，与传统工艺的VDMOS结构相比，通过采用双层的绝缘层可以改善器件在受辐照产生氧化陷阱电荷和界面陷阱电荷的数量(1)改善了绝缘层和Si接触表面的界面效应(2)改善界面效应。提高了器件的抗辐照能力，扩大了器件的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双层 绝缘 结构 剂量 辐照 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：该VDMOS器件包括衬底、外延层、P‑body区、N+源区、栅氧化层、多晶硅栅电极、绝缘层和金属化源极电极，所述多晶硅栅电极与金属化源极电极之间的绝缘层采用Si3N4/BPSG双层绝缘层结构。
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