[发明专利]一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201611144035.8 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783947A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 朱宇清;郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双层 绝缘 结构 剂量 辐照 vdmos 器件 | ||
1.一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：该VDMOS器件包括衬底、外延层、P-body区、N+源区、栅氧化层、多晶硅栅电极、绝缘层和金属化源极电极，所述多晶硅栅电极与金属化源极电极之间的绝缘层采用Si3N4/BPSG双层绝缘层结构。
2.根据权利要求1所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：所述Si3N4/BPSG双层绝缘层结构是由与多晶硅栅电极接触的BPSG层以及与金属化源极电极接触的Si3N4层复合而成，其中：Si3N4层的厚度为90-110nm，BPSG层的厚度为520-580nm。
3.根据权利要求2所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：采用化学气相沉积工艺在多晶硅栅电极上制备所述BPSG层；化学气相沉积工艺过程中：采用的原料气体为SiH4、O2、PH3和B2H6，沉积温度为400℃-430℃；沉积后进行回流，回流条件为：回流温度800℃-900℃，回流的高温条件把杂质扩散和各种缺陷减少到最少。
4.根据权利要求2或3所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：采用化学气相沉积工艺在BPSG层上沉积所述Si3N4层，沉积工艺条件为：功率为380w，压强为5Torr，沉积时间10s。
5.根据权利要求1所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：该VDMOS器件的金属化源极电极采用的材料为Al，其厚度为2-3.5μm。
6.根据权利要求1所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：该VDMOS器件的金属化源极电极上表面沉积钝化层，所述钝化层为Si3N4/SiO2钝化层，其中沉积的Si3N4层厚度为540-660nm，SiO2层的厚度360-440nm。
7.根据权利要求1所述的具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照VDMOS器件，其特点在于：该VDMOS器件的外延片采用的掺杂浓度为2.4Ω·cm，厚度为14μm，为N型衬底、N型外延。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611144035.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
