[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201611140300.5 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107180812A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 季彦良;熊明仁 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法。其中该封装包括半导体结构；接合垫，形成于该半导体结构上并且包括多个导电片段；导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上，其中该钝化层露出该接合垫的导电片段的一部分；导电的重分布层，形成于该钝化层以及该接合垫的导电片段从该钝化层露出的部分上；平坦化层，形成于该钝化层和该导电的重分布层上，并且露出该导电的重分布层的一部分；凸块下金属层，形成于该平坦化层以及该导电的重分布层从该平坦化层露出的部分上；以及导电凸块，形成于该凸块下金属层上。本发明实施例，可以进一步降低封装的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 尺寸 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，包括：半导体结构；接合垫，形成于该半导体结构上并且包括：多个导电片段；导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上，其中该钝化层露出该导电片段的一部分；重分布层，形成于该钝化层以及该导电片段从该钝化层露出的部分上；平坦化层，形成于该钝化层和该重分布层上，并且露出该重分布层的一部分；凸块下金属层，形成于该平坦化层以及该重分布层从该平坦化层露出的部分上；以及导电凸块，形成于该凸块下金属层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611140300.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轴类工件自动化淬火机床
- 下一篇：一种全密封钢带连续熨平炉
