[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，包括：

半导体结构；

接合垫，形成于该半导体结构上并且包括：多个导电片段；

导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；

钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上，其中该钝化层露出该导电片段的一部分；

重分布层，形成于该钝化层以及该导电片段从该钝化层露出的部分上；

平坦化层，形成于该钝化层和该重分布层上，并且露出该重分布层的一部分；

凸块下金属层，形成于该平坦化层以及该重分布层从该平坦化层露出的部分上；以及

导电凸块，形成于该凸块下金属层上。

2.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，该导电元件设置在两个该导电片段之间、或者该导电元件设置在多个该导电片段的左侧处、或者该导电元件设置在多个该导电片段的右侧处。

3.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，该钝化层包括：介电材料；及/或，该平坦化层包括：聚酰亚胺，聚苯并恶唑或者苯环丁烯。

4.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，该凸块下金属层形成于该重分布层上，其中该该凸块下金属层不位于该导电片段自该钝化层露出的部分的上方。

5.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，该导电片段从该钝化层露出的部分的尺寸介于2μm～90μm之间；

及/或，该导电片段从该钝化层露出的部分为圆形、带状或者多边形。

6.如权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装，其特征在于，俯视时该导电元件具有带状构造。

7.一种形成晶圆级芯片尺寸封装的方法，其特征在于，包括：

提供其上形成有接合垫和导电元件的半导体结构，其中该接合垫包括：多个导电片段，并且该导电元件相邻该接合垫；

于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上形成钝化层，其中该钝化层露出该导电片段的部分；

于该钝化层和该导电片段自该钝化层露出的部分上形成重分布层；

于该钝化层和该重分布层上形成平坦化层，并且该平坦化层露出该重分布层的一部分；

于该平坦化层以及该重分布层自该平坦化层露出的部分上形成凸块下金属层；以及

于该凸块下金属层上形成导电凸块。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该钝化层的形成步骤包括：

于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上形成该钝化层；以及

在该钝化层中形成多个开口并且该多个开口分别露出多个该导电片段的部分。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该平坦化层的形成步骤包括：

于该钝化层和该重分布层上形成该平坦化层；以及

在该平坦化层的一部分中形成开口，以露出该重分布层的一部分。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该导电片段自该钝化层露出的部分具有圆形、带状或多边形；

及/或，该导电片段自该钝化层露出的部分的尺寸介于2μm～90μm之间；

及/或，俯视时该导电元件具有带状构造。