[发明专利]晶圆级封装对象及其形成的方法有效
| 申请号： | 200810041985.7 | 申请日： | 2008-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350320A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 邵鸣达;俞国庆;王蔚;李瀚宇;黄小花 | 申请（专利权）人： | 晶方半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/50;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 215126江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供晶圆级封装对象及其形成的方法。在形成晶圆级封装对象的方法中，将小尺寸的单个芯片、含有两个以上芯片的晶圆部件或经过一道以上封装步骤形成的芯片封装半成品重组在一个衬底上；或者用整个晶圆切割而形成的具有至少两个芯片的晶圆部件与粘合用基底进行粘合，用以形成晶圆级封装对象，使得较大尺寸的晶圆可以在较小尺寸的晶圆级封装设备上进行晶圆级封装，延长了晶圆级封装设备的使用寿命，降低了成本，并且能使企业在不进行大量更新设备的情况下，能跟上市场的发展和晶圆不断增大的趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 对象 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶圆级封装对象的方法，其特征在于，包括步骤：提供两个以上的重组单元和衬底；将所述重组单元有电路一面的相对面粘接在所述衬底上，形成晶圆级封装对象。
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- 半导体装置的制造方法-201610283784.2
- 日野泰成;川端大辅 - 三菱电机株式会社
- 2016-04-29 - 2019-05-17 - H01L21/58
- 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
