[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201611126760.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615764B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一源极/漏极区下的一第一部分。第二阱与第一阱相对设置，并与第二源极/漏极区分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有一第一导电类型。第一阱和第二阱具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一第一源极/漏极区，具有一第一导电类型；一第二源极/漏极区，与该第一源极/漏极区相对设置，该第二源极/漏极区具有该第一导电类型；一通道掺杂区，设置在该第一源极/漏极区和该第二源极/漏极区之间，该通道掺杂区具有该第一导电类型；一栅极结构，设置在该通道掺杂区上；一第一阱，具有设置在该第一源极/漏极区下的一第一部分，该第一阱具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；以及一第二阱，与该第一阱相对设置，并与该第二源极/漏极区分离，该第二阱具有该第二导电类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611126760.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅衬底GaN半导体器件外延材料结构
- 下一篇：光调制的场效应晶体管和集成电路
- 同类专利
- 专利分类
