[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201611126760.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615764B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一第一源极/漏极区，具有一第一导电类型；
一第二源极/漏极区，与该第一源极/漏极区相对设置，该第二源极/漏极区具有该第一导电类型；
一通道掺杂区，设置在该第一源极/漏极区和该第二源极/漏极区之间，该通道掺杂区具有该第一导电类型；
一栅极结构，设置在该通道掺杂区上；
一第一阱，具有设置在该第一源极/漏极区下的一第一部分，该第一阱具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型，其中该第一阱的该第一部分的侧壁对齐于该通道掺杂区的侧壁；以及
一第二阱，与该第一阱相对设置，并与该第二源极/漏极区分离，该第二阱具有该第二导电类型。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：
一第一隔离结构；以及
一第二隔离结构，与该第一隔离结构相对设置；
其中该第一源极/漏极区、该第二源极/漏极区、和该通道掺杂区系设置在该第一隔离结构和该第二隔离结构之间，该第一阱具有设置在该第一隔离结构下的一第二部分，该第二阱设置在该第二隔离结构下。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱的该第一部分直接接触该第一源极/漏极区。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二阱完全暴露出该第二源极/漏极区。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二源极/漏极区包括一第一区和一第二区，该第一区位在该第二区上，该第一区的一掺杂浓度大于该第二区的一掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：
一第一源极/漏极触点，设置在该第一源极/漏极区中，该第一源极/漏极触点具有该第一导电类型，其中该第一源极/漏极触点的一掺杂浓度大于该第一源极/漏极区的一掺杂浓度；以及
一第二源极/漏极触点，设置在该第二源极/漏极区中，该第二源极/漏极触点具有该第一导电类型，其中该第二源极/漏极触点的一掺杂浓度大于该第二源极/漏极区的一掺杂浓度。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：
一本质区，其中该第一源极/漏极区、该第二源极/漏极区、该通道掺杂区、该第一阱、和该第二阱系设置在该本质区中并直接接触该本质区。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，包括一空乏型MOSFET，该空乏型MOSFET包括该第一源极/漏极区、该第二源极/漏极区、该通道掺杂区、该栅极结构、和该第一阱。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该空乏型MOSFET具有负的阈值电压。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，具有一存储单元区和一周边区，其中该半导体结构包括：
一字线，耦接至设置在该存储单元区中的存储单元；以及
一开关，设置在该存储单元区中，该开关耦接至该字线，该开关包括该空乏型MOSFET。
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