[发明专利]具有与栅极自对准的体扩散的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201611074855.4 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106847894B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | H·L·爱德华兹;B·胡;J·R·托德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有与栅极自对准的体扩散的LDMOS器件。一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(200)包括其上具有p外延层(115)的衬底(105)，在p外延层中的p体区(140)，以及在p体内以提供漏极延伸区的n漂移(NDRIFT)区(120)。栅极堆叠包括在p体区中的沟道区上方与具有NDRIFT区的结的相应侧相邻并且在所述相应侧上的栅极介电层(122)。图案化栅极电极(123)在栅极电介质上。DWELL区(130)在p体区内。源极区(148)在DWELL区内，并且漏极区(145)在NDRIFT区(120)内。LDMOS器件的有效沟道长度(Leff)为75nm至150nm，其显示DWELL注入，所述DWELL注入利用栅极电极的边缘以描绘DWELL离子注入的边缘，使得DWELL区与栅极电极自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 对准 扩散 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种形成横向扩散金属氧化物半导体器件即LDMOS器件的方法，其包括：提供其上具有p外延层的衬底；在所述p外延层的部分内形成包括NDRIFT离子注入的n漂移区即NDRIFT区；形成栅极堆叠，其包括在所述p外延层的表面沟道区上方形成栅极介电层，所述栅极介电层邻近于具有所述NDRIFT区的结的相应侧并且在具有所述NDRIFT区的结的相应侧上，然后在所述栅极介电层上形成图案化栅极电极；至少第一后栅极阱离子注入包括进入到所述p外延层中的p型(DWELL离子注入)以形成DWELL区，其中所述栅极电极的至少一个边缘被包括在用于所述DWELL离子注入的光掩模开口中，使得所述栅极电极描绘出所述DWELL离子注入的边缘，以及在所述DWELL区中形成源极区，以及在NDRIFT区中形成漏极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611074855.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风力发电用蝶阀控制装置
- 下一篇：一种电动蝶阀控制装置
- 同类专利
- 专利分类
