[发明专利]一种N型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构在审
| 申请号： | 201610907476.2 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958940A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征碳化硅肖特基二极管的表面由有源区和终端区组成，在N型碳化硅肖特基二极管有源区内至少有一P型区域，这P型区域从半导体外延层表面延续至表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，阳极金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型层的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与碳化硅表面N型区域的接触为肖特基接触，肖特基金属极(阳极)透过这P型区域能使器件有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴从而使得器件可以安全地被使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 击穿 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种N型碳化硅耐击穿肖特基二极管结构包括以下部分：(1)有源区和终端区；(2)有源区中碳化硅外延层表面有以肖特基接触为主的阳极金属极；(3)有源区中碳化硅外延层表面至少有一P型区域；(4)这碳化硅外延层表面处的P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层；(5)肖特基金属极(即是阳极金属极)处的金属与这层禁带宽少于1.5电子伏的P型区域的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与非P型区域外延层表面接触为金属/碳化硅肖特基接触。
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