[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610890553.8 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107017163B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金东赫;朴起宽;金兑映;申东石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造半导体器件的方法包括：形成在基板上突出的鳍型图案；形成交叉鳍型图案的栅电极；通过利用干蚀刻在第一鳍型图案内形成邻近于栅电极的第一凹陷；通过用包括沉积工艺和蚀刻工艺的表面处理工艺处理第一凹陷的表面而形成第二凹陷；以及在第二凹陷中形成外延图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：形成在基板上突出的鳍型图案；形成交叉所述鳍型图案的栅电极；通过利用干蚀刻在所述鳍型图案内形成邻近于所述栅电极的第一凹陷；通过用包括沉积工艺和蚀刻工艺的表面处理工艺处理所述第一凹陷的表面而形成第二凹陷；以及在所述第二凹陷中形成外延图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
