[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610806123.3 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106531808B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·托马斯·皮克;菲利浦·拉特;克里斯·罗杰斯 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该装置包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型；掺杂的硅层，该掺杂的硅层位于该衬底上；沟槽，该沟槽延伸到该硅层中；以及栅极电极和栅极电介质，该栅极电极和栅极电介质位于该沟槽中。该装置还包括：漏极区；具有第二导电类型的体区，该体区位于与该沟槽相邻处且在该漏极区上方；以及具有该第一导电类型的源极区，该源极区位于与该沟槽相邻处且在该体区上方。在位于该体区下方的区域中的该掺杂的硅层包括施主离子和受主离子，该施主离子和受主离子通过补偿在所述区域内形成净掺杂浓度。随深度而变的该掺杂的硅层的该净掺杂浓度在位于该体区正下方的区域中具有最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；掺杂的硅层，所述掺杂的硅层位于所述衬底上；沟槽，所述沟槽延伸到所述硅层中；栅极电极和栅极电介质，所述栅极电极和栅极电介质位于所述沟槽中；漏极区；具有第二导电类型的体区，所述体区位于与所述沟槽相邻处且在所述漏极区上方；以及具有所述第一导电类型的源极区，所述源极区位于与所述沟槽相邻处且在所述体区上方，其中在位于所述体区下方的区域中的所述掺杂的硅层包括施主离子和受主离子，所述施主离子和受主离子通过补偿而在所述区域内形成净掺杂浓度，以及其中随深度而变的所述掺杂的硅层的所述净掺杂浓度在位于所述体区正下方的区域中具有最小值。
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