[发明专利]碳化硅基肖特基接触制作方法及肖特基二极管制造方法有效
| 申请号： | 201610785226.6 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785250B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 周正东;李诚瞻;刘可安;吴煜东;饶伟;史晶晶;杨程;吴佳 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 刘烽;朱绘 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 基肖特基 接触 制作方法 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；和e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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