[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610756324.7 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107785422B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底；刻蚀基底，形成衬底以及凸出于衬底的鳍部；在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽；在沟槽侧壁的衬底内形成防扩散掺杂区；形成防扩散掺杂区后，在所述沟槽中形成隔离结构；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；在栅极结构两侧鳍部内形成源漏掺杂区。本发明在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽后，在沟槽侧壁衬底内形成防扩散掺杂区；后续在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区后，防扩散掺杂区位于源漏掺杂区之间的鳍部底部，即位于器件沟道区位置处；所述防扩散掺杂区可以抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区扩散，从而可以减少沟道漏电流，进而可以提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；刻蚀所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在相邻所述鳍部之间的衬底内形成沟槽；对所述沟槽侧壁进行离子掺杂，在所述沟槽侧壁的衬底内形成防扩散掺杂区；形成所述防扩散掺杂区后，在所述沟槽中形成隔离结构；形成横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。
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