[发明专利]Ge/Si虚衬底材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610728747.8 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785408A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 魏青;宋建军;蔡丽莹;胡辉勇;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/161;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ge/Si虚衬底材料及其制备方法。该制备方法包括选取Si衬底；在第一温度下，Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下，在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行晶化，激光工艺的参数包括激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；冷却形成Ge/Si虚衬底材料。本发明采用激光再晶化(LaserRe‑Crystallization，简称LRC)工艺即通过连续激光再晶化薄Ge/Si虚衬底，可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度；连续激光再晶化工艺选择性高，仅作用于Ge外延层，控制精确，避免了Si‑Ge互扩的问题；连续激光再晶化工艺辅助制备Ge/Si虚衬底，晶化速度快，因而还具有工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | ge si 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ge/Si虚衬底材料的制备方法，其特征在于，包括：S101、选取单晶Si衬底；S102、在275℃～325℃温度下，利用CVD工艺在所述单晶Si衬底上生长40～50nm的第一Ge籽晶层；S103、在500℃～600℃温度下，利用CVD工艺在在所述第一Ge籽晶层表面生长150～250nm的第二Ge主体层；S104、利用CVD工艺在所述第二Ge主体层表面上淀积150nm SiO2层；S105、将包括所述单晶Si衬底、所述第一Ge籽晶层、所述第二Ge主体层及所述SiO2层的整个衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化所述整个衬底材料，其中，激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；S106、自然冷却所述整个衬底材料；S107、利用干法刻蚀工艺刻蚀所述SiO2层，得到所述Ge/Si虚衬底材料。
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