[发明专利]使用具有Si－Si键的含有机Si化合物形成含Si薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410007828.6 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1645569A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 斋笃 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的形成含Si薄膜的方法，气化稳定性优良，具有较高的成膜速度。与以往的含有有机Si的化合物相比可以在更低的温度下气相沉积或者液相外延、而且得到的膜强度较大。本发明的形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如右式(1)所示的具有Si－Si键的含有机Si化合物以形成含Si薄膜，其中R1表示氢或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 si 有机 化合物 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.形成含Si薄膜的方法，其特征在于使用如下式(1)所示的具有Si-Si键的含有机Si化合物以形成含Si薄膜：![]()
其中R1表示氢或者甲基，R2表示甲基、乙基、丙基或者叔丁基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
