[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610697304.7 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106558473B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;许光源;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种对介电层进行清除浮渣的方法。在实施例中，在衬底上方沉积介电层，并且在已经应用光刻胶之后应用、暴露和显影光刻胶。一旦光刻胶的图案被转移至下面的介电层，实施清除浮渣工艺，其中，该清除浮渣工艺利用含碳前体、清除浮渣前体和载气的混合物。点燃混合物以成为处理等离子体，且对介电层应用处理等离子体以对介电层进行清除浮渣。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在介电层上方应用光刻胶；/n通过所述光刻胶暴露所述介电层的第一表面；以及/n使用包括第一处理前体和恢复前体的处理混合物，利用等离子体工艺将所述第一表面暴露于处理等离子体以处理所述第一表面，其中，处理所述第一表面包括：/n使用所述第一处理前体的等离子体从所述介电层的第一表面去除碳原子和氮原子；以及/n利用所述恢复前体的等离子体的碳原子代替去除的碳原子和氮原子。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610697304.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：通过约束来进行的硅化物相控制
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
