[发明专利]半导体装置的鳍状结构以及鳍式场效晶体管装置有效
| 申请号： | 201610645485.9 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107342322B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘升旭;李镇全;陈致中;吕曼绫;蔡宗闵;陈意维 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/764;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的鳍状结构以及鳍式场效晶体管装置。该半导体装置的鳍状结构，例如鳍式场效晶体管(FinFET)结构，具有第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的空气间隔。空气间隔可防止漏电。鳍式场效晶体管装置可由先进行掘入再进行外延再成长的方式形成源极/漏极鳍，而此再成长可开始于一管状空气间隔的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 以及 鳍式场效 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的鳍状结构，包括：第一半导体材料；空气间隔；以及第二半导体材料；其中该空气间隔位于该第一半导体材料以及该第二半导体材料之间，且该第一半导体材料包括一外延材料。
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