[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610450848.3 | 申请日： | 2011-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106057907B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体膜的底栅结构晶体管的制造工序中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且受到氧掺杂处理的晶体管可以减小晶体管在偏压－热应力试验(BT试验)的前后的阈值电压的变化量，从而可以实现具有稳定电特性的可靠性高的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；以与所述栅电极重叠的方式在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在形成所述氧化物半导体膜之后，在惰性气体气氛中对所述氧化物半导体膜进行第一热处理；在进行所述第一热处理之后，在所述氧化物半导体膜上形成绝缘膜；在形成所述绝缘膜之后，对所述绝缘膜进行氧掺杂处理，以在所述绝缘膜中形成氧过剩区域；以及在进行所述氧掺杂处理之后，对所述绝缘膜进行第二热处理，以将所述绝缘膜中的氧供应到所述氧化物半导体膜。
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