[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：衬底，包括单元区、第一接触区和第二接触区；下层叠结构，从单元区在第二接触区之上延伸；上层叠结构，从单元区在第一接触区之上延伸，上层叠结构使第二接触区开放；N个第一组台阶型凹槽(N是2或更大的自然数)，穿通第一接触区中的上层叠结构的至少一部分；以及M个第二组台阶型凹槽(M是等于或小于N的自然数)，穿通第二接触区中的下层叠结构的至少一部分。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区、第一接触区和第二接触区，第一接触区从单元区沿着第一方向延伸，第二接触区从第一接触区沿着第一方向延伸；下层叠结构，从单元区在第二接触区之上延伸，下层叠结构包括交替层叠在衬底之上的第一层间绝缘层和第一导电图案；上层叠结构，从单元区在第一接触区之上延伸，上层叠结构使第二接触区开放，上层叠结构包括交替层叠在下层叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电图案；N个第一组台阶型凹槽，N是等于2或更大的自然数，所述N个第一组台阶型凹槽穿通第一接触区中的上层叠结构的至少一部分，所述N个第一组台阶型凹槽中的每个具有在第一方向上彼此对称地相对的台阶型侧壁；以及M个第二组台阶型凹槽，M是等于或小于N的自然数，所述M个第二组台阶型凹槽穿通第二接触区中的下层叠结构的至少一部分，所述M个第二组台阶型凹槽中的每个具有在第一方向上彼此对称地相对的台阶型侧壁。