[发明专利]半导体装置和形成该半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610140176.6 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977291B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | J.P.德苏扎;K.E.福格尔;金志焕;D.K.萨达纳;B.A.瓦卡瑟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;赵国荣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括基板和基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III‑V族材料。n型材料形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中。该n型层包括ZnO。铝接触形成为与该n型材料的ZnO直接接触以形成电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：基板；直接形成在该基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III‑V族材料；形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中的n型材料，该n型材料包括Al掺杂ZnO；以及包含铝部分和ZnO部分的接触，形成为与该n型材料的Al掺杂ZnO直接接触，以形成电子装置。
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