[发明专利]电压产生电路及半导体存储装置在审
| 申请号： | 201610137872.1 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106531221A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 武者淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够根据外部电源的变动而变更升压电路的动作数、且能够削减峰值电流及消耗电力的电压产生电路及半导体存储装置。实施方式的电压产生电路具备调整电路，调整外部电源(VCC)而输出电压(VSUP)；pMOS晶体管(QP1)，根据控制电压(VRE2)而将电压(VSUP)传送或遮断；升压电路(CP1)，使电压(VSUP)升压；pMOS晶体管(QP2)，根据控制电压(VRE2)而将外部电源(VCC)传送或遮断；升压电路(CP2)，使外部电源(VCC)升压；以及调节器(RE2)，比较从升压电路(CP1、CP2)输出的输出电压(VOUT)与参照电压(VREF2)，并输出与比较结果相应的控制电压(VRE2)。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 产生 电路 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种电压产生电路，其特征在于具备：第1调整电路，调整第1电压而输出第2电压；第1晶体管，根据第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断；第1升压电路，使所述第2电压升压；第2晶体管，根据所述第1控制电压而将所述第1电压传送或遮断；第2升压电路，使所述第1电压升压；以及第2调整电路，比较从所述第1及第2升压电路输出的输出电压与第1参照电压，并输出与比较结果相应的所述第1控制电压。
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