[发明专利]半导体组件

摘要

本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层及一缓冲堆栈结构。初始层设置于基板之上且包含氮化铝。缓冲堆栈结构设置于初始层之上，缓冲堆栈结构包含多个基层及至少一掺杂层设置于相邻二层基层之间，基层包含氮化铝镓，掺杂层包含氮化铝镓或氮化硼铝镓。在缓冲堆栈结构之中，基层的铝浓度渐减且镓浓度渐增，基层实质上不含碳，掺杂层的掺质为碳或铁。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，半导体组件因过度翘曲而破裂。

主权项

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：一基板；一初始层，设置于所述基板之上，所述初始层包含氮化铝；以及一缓冲堆栈结构，设置于所述初始层之上，所述缓冲堆栈结构包含多个基层及多个掺杂层，所述多个掺杂层与多个基层交错地堆栈在所述初始层之上，所述基层包含氮化铝镓，所述掺杂层为氮化硼铝镓；其中在所述缓冲堆栈结构之中，所述多个基层的铝浓度渐减且镓浓度渐增，所述多个基层实质上不含碳，所述多个掺杂层的掺质为碳或铁，所述掺质的浓度呈非连续性变化，所述多个掺杂层的所述掺质的浓度为逐渐减少。