[发明专利]等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201510698730.8 | 申请日： | 2015-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105274500A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 魏大程;李科;夏冬云;李孟林;蔡智;刘冬华;亓国强;曹敏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不同温区，抽真空；（2）将衬底和活化后的固态碳所在温区分别加热到相应温度，并通入气体；（3）打开等离子体发生器，生长石墨烯；（4）关闭加热电源，继续通入气体，快速冷却到室温，在衬底表面均匀生长出石墨烯。本发明方法中，固态碳来源广、成本低，生长温度低，对衬底的选择范围广，且能够得到完整、高质量的单层或多层石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不同温区，抽真空；（2）将衬底和活化后的固态碳所在温区分别加热到相应温度，并通入气体；（3）打开等离子体发生器，生长石墨烯；（4）关闭加热电源，继续通入气体，快速冷却到室温，在衬底表面均匀生长出石墨烯。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
