[发明专利]VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510324248.8 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106298928B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 马万里;任春红 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，其中方法包括：在基底上表面由下至上依次形成栅氧化层、多晶硅层、第一保护层；刻蚀多晶硅层和第一保护层，形成第一凹槽，在第一凹槽下方的基底内形成第一离子注入层，在第一离子注入层内形成第二离子注入层，在第一保护层表面、第一凹槽的侧面和第一凹槽的底面形成第二保护层，第二保护层包括第二凹槽，第二凹槽位于所述第一凹槽内部，刻蚀第二凹槽的底面直至将第二离子注入层刻穿，形成接触孔和间隔层，本发明的VDMOS器件及其制作方法利用自对准的方式形成了接触孔，因此不会造成接触孔的偏移，即避免了接触孔与多晶硅层的连通，提升了器件的产出良率。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底上表面由下至上依次形成栅氧化层、多晶硅层、第一保护层；刻蚀所述多晶硅层和所述第一保护层，形成第一凹槽；在所述第一凹槽下方的基底内形成第一离子注入层；在所述第一离子注入层内形成第二离子注入层；在所述第一保护层表面、所述第一凹槽的侧面和所述第一凹槽的底面形成第二保护层，所述第二保护层包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽内部；刻蚀所述第二凹槽的底面直至将所述第二离子注入层刻穿，形成接触孔和间隔层，所述间隔层位于所述第一保护层和所述多晶硅层朝向所述接触孔的侧壁上，所述多晶硅层与所述接触孔之间的间隔为所述间隔层；其中，所述第一保护层的厚度大于所述栅氧化层的厚度。
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