[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201510136480.9 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106159054B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈誉云;林永鑫;李芳仪;潘锡明 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/62 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种发光二极管，包含：堆栈半导体层结构，包含第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，主动层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间；以及第一电极及第二电极，设置于堆栈半导体层结构的同一侧，且第一电极设置于第一型半导体层上，第二电极设置于第二型半导体层上；其中，第一电极包含单一反射金属层与焊垫层，焊垫层设置于单一反射金属层上，单一反射金属层的厚度大于主动层，且单一反射金属层的下端低于主动层的下端，而单一反射金属层的上端高于主动层的上端，使得从主动层所发出的至少部分光线被单一反射金属层反射。本发明的发光二极管，制程简单，降低了成本，且增强了整体出光效率和亮度，还可维持电极的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：基板；设置于所述基板的下方的反射层；设置于所述基板上的堆栈半导体层结构，包含第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，所述主动层设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；以及第一电极及第二电极，设置于所述堆栈半导体层结构的同一侧，且所述第一电极设置于所述第一型半导体层上，所述第二电极设置于所述第二型半导体层上；其中，所述第一电极包含单一反射金属层与焊垫层，所述焊垫层设置于所述单一反射金属层上，所述单一反射金属层的厚度大于所述主动层，且所述单一反射金属层的下端低于所述主动层的下端，而所述单一反射金属层的上端高于所述主动层的上端，使得从所述主动层所发出的至少部分光线被所述单一反射金属层反射;其中，所述单一反射金属层的材料为铝或铝合金，所述焊垫层的材料包含金。
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- 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
- 发光二极管-201510136480.9
- 陈誉云;林永鑫;李芳仪;潘锡明 - 晶元光电股份有限公司
- 2015-03-26 - 2019-02-15 - H01L33/40
- 本发明揭示了一种发光二极管，包含：堆栈半导体层结构，包含第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，主动层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间；以及第一电极及第二电极，设置于堆栈半导体层结构的同一侧，且第一电极设置于第一型半导体层上，第二电极设置于第二型半导体层上；其中，第一电极包含单一反射金属层与焊垫层，焊垫层设置于单一反射金属层上，单一反射金属层的厚度大于主动层，且单一反射金属层的下端低于主动层的下端，而单一反射金属层的上端高于主动层的上端，使得从主动层所发出的至少部分光线被单一反射金属层反射。本发明的发光二极管，制程简单，降低了成本，且增强了整体出光效率和亮度，还可维持电极的电性表现。
- 发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法-201710165974.9
- 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金贤儿 - 首尔伟傲世有限公司
- 2013-06-14 - 2019-02-15 - H01L33/40
- 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
- 一种宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片-201821366071.3
- 王洪;黄华茂;杨倬波;谭礼军 - 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
- 2018-08-23 - 2019-02-12 - H01L33/40
- 本实用新型公开了一种宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n‑电极和p‑电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p‑GaN层到n‑GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。
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