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[发明专利]发光二极管阵列-CN201811346014.3有效
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN202010064109.7有效
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第二半导体层上，与第二发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，第一上电极具有从第一发光二极管侧向第二发光二极管侧突出的突出部，突出部延伸到第二发光二极管上部而与第二发光二极管的第二半导体层电连接，第二上电极具有收容第一上电极的突出部的槽部，第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与第二发光二极管的第一半导体层接触，第一上电极的突出部向接触区域之间突出。
发光二极管阵列

[发明专利]一种卡培他滨中间体的合成方法-CN202310581565.2在审
发明人：胡建涛;徐大雄;蔡文娟;潘源江;陈恬 -专利权人：江苏八巨药业有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种卡培他滨中间体的合成方法，属于药物中间体合成技术领域。为了解决现有的反应操作危险性高和收率低的问题，提供一种卡培他滨中间体的合成方法，该方法包括使原料式Ⅰ化合物、二硫化碳和碱金属的氢氧化物在有机溶剂中进行反应合成中间体式Ⅱ化合物，再加入碳酸二甲酯进行甲基化反应，得到式Ⅲ化合物；使式Ⅲ化合物在三丁基锡烷的作用下进行自由基反应转化为产物卡培他滨中间体。本发明能够使反应在温和的条件下即可实现，且反应的转化率高，中控时反应原料的残留能更有效的控制在小于0.5％，具有副产物少，易于后处理的优点。
一种中间体合成方法

[发明专利]固体物质和包含其的分散组合物-CN202180075302.3在审
发明人：金哲焕;金璟嬉;徐大雄 -专利权人：思凯制药有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61K9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种分散组合物，其包含：分散介质；和包含目标物质的颗粒，其中所述分散组合物包含至少一种临界胶束浓度以上的表面活性剂，所述组合物不包含增溶剂，并且满足以上所述和定义的S‑参数1。
固体物质包含分散组合

[发明专利]固体环孢菌素A和包含其的分散组合物-CN202180075292.3在审
发明人：金哲焕;金璟嬉;徐大雄 -专利权人：思凯制药有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A61K47/02 文献下载
摘要：本发明提供一种分散组合物，其包含：分散介质；和包含目标物质的颗粒。所述分散组合物包含至少一种临界胶束浓度以上的表面活性剂，并且不包含增溶剂。所述目标物质为环孢菌素A，并且满足先前定义的S‑参数1。
固体菌素包含分散组合

[发明专利]发光二极管-CN201910834913.6有效
发明人：蔡钟炫;李俊燮;卢元英;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
发光二极管

[发明专利]发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法-CN201810781829.8有效
发明人：蔡钟炫;卢元英;李俊燮;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;裴善敏;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。
发光二极管模块制造方法

[发明专利]发光二极管模块和发光二极管以及制造发光二极管的方法-CN201710968982.7有效
发明人：蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;卢元英;姜珉佑;张锺敏 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管模块和发光二极管以及制造发光二极管的方法。所述发光二极管模块包括印刷电路板和通过焊膏粘结至该印刷电路板的发光二极管。所述发光二极管包括电连接至第一导电型半导体层的第一电极焊盘和连接至第二导电型半导体层的第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘中的每个电极焊盘包括至少五对钛/镍层或至少五对钛/铬层和最上面的金层。因此，防止了焊膏中的例如锡等的金属元素的扩散，从而提供了可靠的发光二极管模块。
发光二极管模块以及制造方法

[发明专利]发光二极管封装件-CN201811107202.0有效
发明人：印致贤;朴浚镕;李圭浩;徐大雄;蔡钟泫;金昶勋;李晟贤 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：在此公开了一种发光二极管封装件及其制造方法。所述发光二极管封装件包括：基底；半导体结构层，设置在基底的一个表面上，并包括第一类型半导体层、活性层和第二类型半导体层；第一突起和第二突起，各自设置在第一类型半导体层和第二类型半导体层上；保护层，至少覆盖半导体结构层；第一突起焊盘和第二突起焊盘，设置在保护层上并且各自连接到第一突起和第二突起。
发光二极管封装

[发明专利]用于降解混合气体的光催化过滤器及其制造方法-CN202110473566.6在审
发明人：李在仙;徐大雄;金智元 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于降解混合气体的光催化过滤器及其制造方法，尤其涉及一种其表面具有加强的吸收性能以便包含在竞争反应中较迟反应的气体的混合气体能够从光催化反应的初始阶段被降解的光催化过滤器及其制造方法。该方法包括如下步骤：将作为光催化剂的二氧化钛(TiO2)纳米粉末和一种或多种金属复合物分散在水中以制备光催化分散体；用该光催化分散体涂覆支撑体；干燥对经涂覆的支撑体；以及烧结经干燥的支撑体。该光催化过滤器包括支撑体、以及涂覆在支撑体上的光催化剂和一种或多种金属复合物。
用于降解混合气体光催化过滤器及其制造方法

[实用新型]一种处理D,L-萘普生酸化高盐有机废水的装置-CN202022370224.5有效
发明人：程焕达;王春荣;王玉钢;练俊晨;刘振益;申小科;张进福;徐大雄 -专利权人：江苏八巨药业有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型的目的是针对现有的D,L‑萘普生酸化废水处理技术存在的蒸发效率较低，同时能耗较高的问题，提出了一种处理效果好的D,L‑萘普生酸化废水的装置，所述装置包括原水淡化处理系统、浓水处理系统、极水处理系统和电渗析设备9。本装置将D,L‑萘普生酸化工序产生的高盐废水分离成高浓度的含盐废水和淡水。所得高浓度的含盐废水进行多效蒸发，相对于现有技术中直接将高盐废水多效蒸发浓缩除盐，可大大减小能耗。所得淡水排放至环保处理系统，如生化系统处理等，克服了现有技术中高盐废水因废水含盐量较高而无法进入生化系统处理的问题。该装置具有处理效率高、降低能耗等特点，有利于企业的可持续发展。
一种处理萘普生酸化有机废水装置

[发明专利]晶圆级发光二极管阵列-CN201380046853.2有效
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。
晶圆级发光二极管阵列

[发明专利]利用紫外线LED的便携式杀菌装置-CN201410453526.5有效
发明人：金锺洛;李贞勋;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用紫外线LED的便携式杀菌装置。所述装置包括；箱体，形成外观；盖部，形成于所述箱体的两侧面部且包含开口部；发光二极管部，通过所述盖部上的开口部被暴露到外部。所述盖部以可调节角度的方式被结合到所述箱体，从而控制从所述发光二极管部向外部发射的光的照射角。
利用紫外线 led 便携式杀菌装置

[发明专利]发光二极管、照明模块、照明设备和背光单元-CN201380072266.0有效
发明人：蔡钟炫;李俊燮;卢元英;姜珉佑;张锺敏;金贤儿;徐大雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管、照明模块、照明设备和背光单元。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
发光二极管应用

[发明专利]包括金属块的发光元件-CN201680011635.9有效
发明人：蔡钟炫;金彰渊;李俊燮;徐大雄;卢元英;朴柱勇;金升铉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例的发光元件包括：发光单元，包括台面，该台面包括在下面包括接触区域的第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层；第二电极；第一绝缘层；电极覆盖层；第一电极；第二绝缘层；以及支撑单元。另外，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，接触区域位于所述突出部之间，接触区域的一部分在上下方向上可以与所述第二金属块(metal bulk)重叠。据此，可以改善电流分散效率，从而能够进一步改善发光效率。
包括金属发光元件

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