[发明专利]一种半导体芯片封装用低空洞率焊膏及其制备方法有效
申请号: | 201510024509.4 | 申请日: | 2015-01-16 |
公开(公告)号: | CN104668818B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 朱捷;赵朝辉;卢茂成;张焕鹍 | 申请(专利权)人: | 北京鹏瑞中联科技有限公司 |
主分类号: | B23K35/363 | 分类号: | B23K35/363;B23K35/26 |
代理公司: | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙)11417 | 代理人: | 李文军 |
地址: | 101407 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体芯片封装用低空洞率焊膏及其制备方法,该焊膏由助焊膏与Sn/Pb/Ag系或Sn/Pb系合金焊粉组成,助焊膏占焊膏重量的8~20%,它是由助焊膏和Sn/Pb/Ag系或Sn/Pb系合金焊粉混合组成;本发明通过独特的配方设计,可有效降低焊膏在半导体芯片封装中产生的焊点空洞,成品率高,产品可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 封装 空洞 率焊膏 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片封装用低空洞率焊膏,其特征在于:该焊膏由助焊膏与Sn/Pb/Ag系或Sn/Pb系合金焊粉组成,助焊膏占焊膏重量的8~20%;所述的助焊膏由下述重量百分比的组分组成:高沸点溶剂25~45%;低沸点溶剂5~15%;活性剂5~20%;松香及松香衍生物30~45%;触变剂3~12%;表面活性剂0.3~5%;缓蚀剂0.01~2%;所述的高沸点溶剂主要包括2‑乙基‑1,3‑己二醇、二甘醇丁醚、二乙二醇己醚、二乙二醇辛醚、三甘醇丁醚和三丙二醇丁醚中的一种或多种;所述的低沸点溶剂指沸点80~150℃的溶剂,主要包括异丙醇、异丁醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇二乙醚、丙二醇甲醚和硝基乙烷中的一种或多种。
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