[发明专利]具有增强的击穿电压的III-N晶体管有效
| 申请号： | 201480076340.0 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106030816B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;B·舒-金;S·达斯古普塔;R·周;S·H·宋;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 讨论了与具有增强的击穿电压的III‑N晶体管有关的技术、包含这样的晶体管的系统以及用于形成它们的方法。这样的晶体管包括处于衬底之上的具有开口的硬掩模、源极、漏极以及处于源极与漏极之间的沟道，并且源极或漏极的一部分设置在硬掩模的开口之上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 击穿 电压 iii 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：设置在衬底之上的硬掩模，其中，所述硬掩模包括至少一个开口；源极、漏极以及位于所述源极与所述漏极之间的栅极耦合沟道，其中，所述沟道包括氮化镓并且设置在所述硬掩模之上，并且其中，所述漏极包括邻近所述沟道的非本征漏极部分以及远离所述沟道的本征漏极部分；以及至少设置在所述非本征漏极部分之上的极化层，其中，所述源极或所述漏极的至少其中之一的部分设置在所述硬掩模的所述开口之上，其中，所述非本征漏极部分包括比所述沟道具有更宽的带隙的材料。
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