[发明专利]半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法有效
| 申请号： | 201410858205.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104701195B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;P·C·马里穆图;沈一权;韩丙濬 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/28;H01L23/525 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 蒋骏;姜甜<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方，半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方，同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割，同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 嵌入式 晶片 芯片 规模 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n提供半导体管芯；/n在半导体管芯的外围区中形成切口；/n在所述半导体管芯周围沉积密封剂，并且将密封剂沉积到所述切口中；/n在所述半导体管芯上方和所述半导体管芯的覆盖区内形成互连结构，其中所述互连结构包括：/n形成在所述半导体管芯上方的第一绝缘层，同时使所述半导体管芯的所述外围区没有所述第一绝缘层，/n形成在第一绝缘层上方的扇入重新分布层，同时使所述半导体管芯的所述外围区没有所述扇入重新分布层，以及/n形成在所述扇入重新分布层上方的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层与所述第一绝缘层周围的所述密封剂接触；以及/n在形成所述第一绝缘层和所述扇入重新分布层之后，对所述密封剂进行背面研磨以暴露所述半导体管芯。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
