[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410686031.7 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104733517A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡劲;陈国仕;宁德雄;姚正邦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：至少一个第一横向双极型晶体管，其位于绝缘体层的第一部分的顶上并包括：第一导电类型的本征基极半导体材料部，其具有最下表面、最上表面、以及在宽度方向上取向的两个垂直侧壁；所述第一导电类型的第一水平半导体材料部，其位于所述第一导电类型的所述本征基极半导体材料部的所述最下表面与所述绝缘体层的最上表面之间；所述第一导电类型的第二水平半导体材料部，其直接位于所述第一导电类型的所述本征基极半导体材料部的所述最上表面上；所述第一导电类型的第一侧壁半导体材料部，其位于所述第一导电类型的所述本征基极半导体材料部的在所述宽度方向上取向的所述垂直侧壁中的一个处；以及所述第一导电类型的第二侧壁半导体材料部，其位于所述第一导电类型的所述本征基极半导体材料部的在所述宽度方向上取向的所述垂直侧壁中的另一个处，其中，所述第一导电类型的所述第一水平半导体材料部、所述第一导电类型的所述第二水平半导体材料部、以及所述第一导电类型的所述第一和第二侧壁半导体材料部中的每一者具有高于所述第一导电类型的所述本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。
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