[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410446864.6 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105384143B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;G01L1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括提供基底，在所述基底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方沉积形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成压力传感膜；蚀刻所述压力传感膜，以形成开口暴露部分所述牺牲层，并去除所述牺牲层；在所述压力传感膜和部分层间介电层上形成氧化物层，以填孔所述开口，以形成密闭的空腔；执行激光退火步骤，以释放所述压力传感膜内的应力。根据本发明的方法，在牺牲层释放后进行激光退火处理，其工艺窗口更大，对压力传感膜的应力具有比较好的调节效果，提高了压力传感器的灵敏度和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方沉积形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成压力传感膜；蚀刻所述压力传感膜，以形成开口暴露部分所述牺牲层，并去除所述牺牲层；在所述压力传感膜和部分层间介电层上形成氧化物层，以填孔所述开口，以形成密闭的空腔；执行激光退火步骤，以释放所述压力传感膜内的应力。
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